B57825 时间：2025/12/27 20:38:45 阅读：19

B57825是EPC（Efficient Power Conversion）公司推出的一款增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（eGaN FET），专为高性能电源转换应用设计。该器件采用氮化镓半导体技术，相较于传统的硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和整体效率方面具有显著优势。B57825属于EPC的eGaN系列产品线，适用于高频率、高效率的功率转换场景，如DC-DC变换器、无线充电、激光雷达（LiDAR）、射频功率放大器以及各类高密度电源系统。该器件封装在小型化的Chip-Scale Package（CSP）中，有助于减小整体电路板尺寸并提升功率密度。其设计旨在满足现代电子设备对更小体积、更高效率和更高工作频率的需求。B57825具备良好的热性能和低寄生参数，适合用于硬开关和高频软开关拓扑结构。此外，EPC提供了详细的应用指南和参考设计，帮助工程师快速将该器件集成到实际产品中，并确保可靠性和稳定性。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：30 A
　　脉冲漏极电流（ID,脉冲）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.4 V ~ 2.1 V
　　输入电容（Ciss）：1.6 nF
　　输出电容（Coss）：170 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：Chip-Scale Package (CSP)
　　尺寸：4.9 mm x 3.9 mm x 0.85 mm

特性

B57825的核心特性源于其基于氮化镓（GaN）材料的半导体工艺，这种宽禁带（WBG）技术使其在多个关键性能指标上超越传统硅基MOSFET。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）仅为13 mΩ，能够在高电流条件下显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，由于氮化镓材料的高电子迁移率，该器件具备极快的开关速度，支持MHz级别的开关频率运行，这使得电源系统可以使用更小的无源元件（如电感和电容），从而实现更高的功率密度和更紧凑的设计。
　　此外，B57825采用增强型（常关型）设计，这意味着在栅极为零偏置时器件处于关闭状态，提升了系统的安全性和易用性，特别适合于需要快速上手和简化驱动电路的设计场景。与耗尽型GaN器件相比，增强型结构无需负压关断，可直接与标准CMOS或Si MOSFET驱动器兼容，降低了驱动电路的复杂性和成本。
　　该器件还具有非常低的寄生参数，包括输入电容（Ciss）和输出电容（Coss），这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还降低了电磁干扰（EMI）的风险。更重要的是，B57825几乎不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0 C），这在同步整流和桥式拓扑中尤为关键，能够有效消除体二极管反向恢复带来的尖峰电流和损耗，进一步提升效率和可靠性。
　　在封装方面，B57825采用小型化的芯片级封装（CSP），具有优异的热传导性能和低热阻，能够在高功率密度下保持较低的工作温度。其底部暴露的散热焊盘可通过PCB上的热过孔将热量迅速导出，增强了长期工作的稳定性和寿命。EPC还为该器件提供详细的热模型和布局建议，帮助用户优化PCB设计以实现最佳热管理。

应用

B57825广泛应用于对效率、尺寸和频率要求较高的现代电力电子系统中。在数据中心和服务器电源中，它可用于多相VRM（电压调节模块）设计，支持处理器的动态负载响应，同时提升能效并减少散热需求。在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器和USB PD快充电源，B57825支持高频LLC或有源钳位反激拓扑，实现小型化和高效率的充电解决方案。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载充电机（OBC）、DC-DC转换器以及激光雷达（LiDAR）系统的高速脉冲驱动电路。其快速开关能力能够生成纳秒级的电流脉冲，满足LiDAR对高分辨率测距的需求。此外，在无线充电系统中，B57825可用于高频逆变器级，提升能量传输效率并缩小发射线圈尺寸。
　　工业和通信设备中，B57825可用于高密度中间总线转换器（IBC）、射频包络跟踪电源以及基站的PA供电模块。其低噪声特性和高效率也使其适用于医疗设备和测试仪器中的精密电源系统。EPC提供的开发工具包和应用笔记进一步加速了B57825在各类创新应用中的部署。