STP21N06LFI 时间：2025/7/22 14:05:40 阅读：11

STP21N06LFI 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET?技术，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于多种电源管理应用，例如DC-DC转换器、电源开关、电机控制和电池管理系统等。其最大漏极电流为21A，漏源电压最大可达60V，适合中高功率应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：21A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.042Ω（@10V VGS）
　　栅极电荷（Qg）：38nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220FP

特性

STP21N06LFI 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其采用StripFET技术，大幅降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其次，该MOSFET具有较高的电流处理能力，额定漏极电流为21A，适用于中高功率应用。此外，其最大漏源电压为60V，能够在较高的电压环境下稳定工作。该器件还具备良好的热稳定性，支持宽温度范围（-55°C至+175°C），适合在极端环境下使用。TO-220FP封装提供了良好的散热性能，同时具备较低的封装体积，适合紧凑型设计。
　　STP21N06LFI 的栅极电荷较低（Qg=38nC），使得开关损耗更低，特别适合高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。此外，其栅源电压范围为-20V至+20V，增强了栅极控制的灵活性和稳定性。该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力，有助于在突发过压情况下保护电路安全。综合这些特性，STP21N06LFI 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种工业、消费类和汽车电子应用。

应用

STP21N06LFI 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如，在DC-DC转换器中，它作为主开关元件，实现高效的电压转换；在电源管理模块中，用于电源开关控制，提升系统能效；在电机控制电路中，作为H桥结构的一部分，实现电机的正反转和调速控制；在电池管理系统中，用于充放电控制和保护电路；此外，它也可用于LED驱动、开关电源（SMPS）以及汽车电子系统中的功率控制模块。