STP21N06LFI 是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的StripFET?技术,具有低导通电阻和高效率的特点。该器件适用于多种电源管理应用,例如DC-DC转换器、电源开关、电机控制和电池管理系统等。其最大漏极电流为21A,漏源电压最大可达60V,适合中高功率应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
漏极电流(ID):21A(@25°C)
导通电阻(RDS(on)):0.042Ω(@10V VGS)
栅极电荷(Qg):38nC(典型值)
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220FP
STP21N06LFI 具备多项优良特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其采用StripFET技术,大幅降低了导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了能效。其次,该MOSFET具有较高的电流处理能力,额定漏极电流为21A,适用于中高功率应用。此外,其最大漏源电压为60V,能够在较高的电压环境下稳定工作。该器件还具备良好的热稳定性,支持宽温度范围(-55°C至+175°C),适合在极端环境下使用。TO-220FP封装提供了良好的散热性能,同时具备较低的封装体积,适合紧凑型设计。
STP21N06LFI 的栅极电荷较低(Qg=38nC),使得开关损耗更低,特别适合高频开关应用,例如DC-DC转换器、同步整流器和电机驱动器。此外,其栅源电压范围为-20V至+20V,增强了栅极控制的灵活性和稳定性。该器件还具备较强的雪崩能量耐受能力,有助于在突发过压情况下保护电路安全。综合这些特性,STP21N06LFI 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET,适用于多种工业、消费类和汽车电子应用。
STP21N06LFI 广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。例如,在DC-DC转换器中,它作为主开关元件,实现高效的电压转换;在电源管理模块中,用于电源开关控制,提升系统能效;在电机控制电路中,作为H桥结构的一部分,实现电机的正反转和调速控制;在电池管理系统中,用于充放电控制和保护电路;此外,它也可用于LED驱动、开关电源(SMPS)以及汽车电子系统中的功率控制模块。
IRFZ44N, FDP21N60, STP20N60, IPW60R045C6