类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：22 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：90 A
　　导通电阻（RDS(on)）：13 mΩ（典型值，@ VGS = 5 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.4 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：1300 pF（@ VDS = 50 V）
　　输出电容（Coss）：240 pF（@ VDS = 50 V）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管，反向导通依赖于沟道）
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：LGA 芯片级封装（Land Grid Array）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　栅源电压范围（VGS）：-10 V 至 +7 V

B57585作为一款高性能的增强型氮化镓场效应晶体管，其最突出的特性之一是采用了增强型（常关型）结构设计，这使得它在栅极为零偏压时处于关闭状态，极大地提升了系统的安全性和易用性，特别适合替代传统硅基MOSFET的应用场景。与耗尽型氮化镓器件相比，无需负压关断或复杂的驱动电路，简化了驱动设计并降低了系统复杂度。其13mΩ的低导通电阻确保了在大电流条件下仍能保持较低的传导损耗，从而提高整体能效，尤其是在高功率密度的DC-DC转换器中表现优异。
　　该器件具备极低的输入和输出电容，结合快速的开关速度，使其能够在MHz级别的高频开关环境中运行，显著减小磁性元件和滤波电容的体积，有利于实现小型化电源模块的设计。此外，由于氮化镓材料本身不具备体二极管，B57585在反向导通时依赖于沟道的双向导通能力，因此不会产生传统硅器件中的反向恢复电荷（Qrr），从而消除了反向恢复带来的尖峰电流和电磁干扰问题，提高了系统的可靠性和效率。
　　B57585采用LGA芯片级封装，不仅尺寸紧凑（典型尺寸约为3.5mm x 2.6mm），而且热阻低，能够有效将热量从芯片传导至PCB，适合高密度布局。这种封装形式减少了引线电感，进一步优化了高频开关性能。同时，器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性。EPC公司在制造工艺上采用先进的外延生长和钝化技术，确保器件在高dv/dt和di/dt条件下仍具有出色的抗噪声能力，防止误触发。此外，B57585符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101等车规级可靠性测试，表明其可用于严苛的工业和汽车环境。

B57585广泛应用于对效率、功率密度和开关频率要求较高的现代电力电子系统中。一个主要应用领域是数据中心和服务器电源系统中的48V至12V或12V至1V的中间母线转换器（Intermediate Bus Converter, IBC）和负载点转换器（Point-of-Load, PoL），其高频特性有助于缩小变压器和电感体积，提升整体电源系统的功率密度。此外，在无线功率传输系统（如手机、可穿戴设备的无线充电板）中，B57585可用于构建谐振拓扑（如Class-E或WPT全桥逆变器），利用其快速开关能力和低损耗特性提升能量传输效率。
　　在自动驾驶和智能传感领域，B57585被用于激光雷达（LiDAR）系统的脉冲功率驱动电路中，能够以纳秒级的上升/下降时间提供高峰值电流脉冲，从而实现高精度的距离测量和目标识别。其低电感封装和快速响应能力对于生成窄而强的光脉冲至关重要。同时，在无人机、电动工具和便携式医疗设备的电池管理系统中，该器件可用于高效同步降压或升压转换器，延长续航时间。
　　在电信基础设施中，B57585适用于射频功率放大器的包络跟踪（Envelope Tracking）电源调制器，动态调节供电电压以匹配信号包络，从而提升PA效率。此外，其在太阳能微逆变器、LED驱动电源和高端消费类适配器中也有广泛应用。得益于其高可靠性和温度稳定性，B57585还可用于部分车载应用，如车载充电机（OBC）和DC-DC转换模块，满足新能源汽车对高效电能转换的需求。

EPC2045,EPC2053,EPC2212