类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：60V
　　漏极-源极导通电阻(Rds(on))：典型值为2.8mΩ（Vgs=10V时）
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220AB

B560C-F的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有较高的电流承受能力，最大连续漏极电流可达100A，适合高功率应用。
　　该MOSFET的封装采用TO-220AB标准封装形式，便于安装和散热管理。其高耐压能力（60V Vds）使得B560C-F能够在中等电压范围内稳定工作，适用于各种电源转换器、电机控制和负载开关应用。
　　此外，B560C-F具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠运行。其栅极-源极电压范围为±20V，允许较大的驱动电压波动，提高了器件的灵活性和适用性。
　　在动态性能方面，B560C-F具有较低的开关损耗，使其适用于高频开关电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功率损耗，并提高系统的响应速度。

B560C-F广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关以及电机控制电路等。其高电流和低导通电阻特性使其成为高性能电源转换器的理想选择。
　　在工业设备中，B560C-F可用于变频器、伺服电机驱动器和自动化控制系统。在消费类电子产品中，该MOSFET可应用于电源适配器、电池管理系统和高功率LED驱动电路。
　　此外，B560C-F也适用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC转换器和电动助力转向系统。其高可靠性和优异的热管理能力使其在严苛的汽车环境中表现良好。

B560C-F的替代型号包括SiS436CDN-T1-GE3、IRF1404ZPBF和FDMS86101。