时间：2025/7/12 3:59:18
阅读：10
HH18N820G101CT是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，属于高性能场效应晶体管（FET）。该芯片采用先进的GaN制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和高效率的特点，广泛适用于高频电源转换器、快充适配器、DC-DC转换器以及其他电力电子应用。其设计旨在提供卓越的功率密度和系统性能，同时减少能量损耗。
这款元器件具备强大的热管理和电气特性，适合在高温环境下运行，能够显著提升系统的可靠性和稳定性。此外，HH18N820G101CT封装紧凑，易于集成到小型化设计中。
型号：HH18N820G101CT
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
Vds（漏源极击穿电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：82mΩ
Qg（栅极电荷）：40nC
Id（连续漏极电流）：8A
fsw（最大工作频率）：5MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-252 (DPAK)
HH18N820G101CT的主要特点包括：
1. 高效的氮化镓技术，提供更低的导通电阻和更小的寄生电容，从而实现更快的开关速度。
2. 支持高达5MHz的工作频率，非常适合高频应用。
3. 出色的热性能，能够在较宽的温度范围内保持稳定运行。
4. 内置过温保护功能，增强了器件的安全性和可靠性。
5. 与传统的硅基MOSFET相比，该器件具有更高的效率和更低的能量损耗。
6. 紧凑型封装设计简化了PCB布局并节省了空间。
这些特性使得HH18N820G101CT成为现代高效能电源转换应用的理想选择。
HH18N820G101CT可应用于以下领域：
1. 快速充电器和USB PD适配器。
2. 高频DC-DC转换器。
3. 无线充电设备。
4. LED驱动器。
5. 电机驱动控制器。
6. 开关电源（SMPS）设计。
由于其高效的性能和高频操作能力，该器件在需要快速响应和高效率的场景下表现尤为突出。
HH18N820G102CT, HH18N820G103CT
