型号：B4P-VR(LF)(SN)
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装类型：SOT-23
　　晶体管极性：P 沟道
　　漏源电压（VDS）：-30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：-100 mA
　　脉冲漏极电流（IDM）：-230 mA
　　导通电阻（RDS(on)）：1.1 Ω（@ VGS = -10 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.3 Ω（@ VGS = -4.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0 V ~ -2.5 V
　　输入电容（Ciss）：110 pF（@ VDS = 10 V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　热阻（Rth(j-c)）：200 °C/W
　　功率耗散（PD）：200 mW

B4P-VR(LF)(SN) 作为一款高性能 P 沟道 MOSFET，具备多项关键特性，使其在低功耗和小信号功率开关应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻 RDS(on) 特性是该器件的核心优势之一。在 VGS = -10V 条件下，RDS(on) 典型值仅为 1.1Ω，在 VGS = -4.5V 时也仅为 1.3Ω，这确保了在低电压驱动条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体电源效率。这一特性特别适用于电池供电设备，如移动终端和便携式仪器，有助于延长续航时间。
　　其次，该器件采用 SOT-23 小型封装，具有紧凑的外形尺寸和良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局。尽管封装小巧，但其最大漏源电压可达 -30V，连续漏极电流为 -100mA，能够满足大多数中低功率开关需求。同时，其高达 ±20V 的栅源电压耐受能力增强了器件在瞬态电压波动下的鲁棒性，避免因栅极过压导致的击穿风险。
　　再者，B4P-VR(LF)(SN) 的阈值电压范围为 -1.0V 至 -2.5V，属于典型的逻辑电平兼容范围，可直接由 3.3V 或 5V 数字信号驱动，无需额外的电平转换电路。这不仅简化了系统设计，还降低了外围元件数量和整体成本。
　　此外，该器件具备优异的开关速度，输入电容 Ciss 典型值为 110pF，在高频开关应用中可实现快速响应，减少开关损耗。其工作结温范围宽达 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛环境下的稳定运行，包括工业级和汽车电子应用场景。
　　最后，产品符合 RoHS 标准且无卤素，支持绿色环保制造工艺，符合现代电子产品可持续发展的要求。综合来看，B4P-VR(LF)(SN) 凭借其低导通电阻、小型化封装、逻辑电平兼容性和高可靠性，成为众多电源管理设计中的优选器件。

B4P-VR(LF)(SN) 主要应用于需要高效、小型化和低功耗特性的电子系统中。
　　在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和智能手表，该器件常被用作电源开关或负载开关，用于控制不同功能模块的上电与断电，实现动态电源管理以优化电池使用效率。其低静态电流和快速响应能力使得系统在待机模式下能耗极低，同时能迅速唤醒外设模块。
　　在 DC-DC 转换器电路中，B4P-VR(LF)(SN) 可作为同步整流或高边开关使用，特别是在 buck 转换器的上管配置中，P 沟道结构无需复杂的自举电路即可完成栅极驱动，显著简化了电源拓扑设计。这对于空间受限且对成本敏感的应用尤为重要。
　　此外，该器件也广泛用于各类嵌入式系统和微控制器外围电路中，作为 GPIO 扩展驱动或传感器电源控制开关。例如，在多路传感器切换系统中，利用多个 B4P-VR(LF)(SN) 实现分时供电，避免传感器之间相互干扰，同时降低整体系统功耗。
　　在工业控制和通信设备中，B4P-VR(LF)(SN) 被用于隔离不同电压域之间的连接，提供安全可靠的电源通断控制。其宽温工作范围和高可靠性确保了在恶劣环境下的长期稳定运行。
　　另外，由于其符合无铅和环保标准，该器件也适用于医疗电子设备、智能家居模块和物联网终端等对安全性和合规性要求较高的领域。总之，B4P-VR(LF)(SN) 凭借其多功能性和高集成度，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

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　　 "BSS84",
　　 "DMG2302U",
　　 "Si2302DS",
　　 "FMMT718",
　　 "ZVP2106G"
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