型号：B4847
　　制造商：Infineon Technologies
　　晶体管类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30 V
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　连续漏极电流（Id）：195 A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：610 A
　　导通电阻 Rds(on)：0.75 mΩ（Vgs=10 V, Id=97.5 A）
　　导通电阻 Rds(on)：0.95 mΩ（Vgs=4.5 V, Id=65 A）
　　阈值电压（Vth）：2.0 V ~ 3.0 V
　　输入电容（Ciss）：12600 pF（Vds=15 V, Vgs=0 V, f=1 MHz）
　　输出电容（Coss）：2500 pF
　　反向传输电容（Crss）：240 pF
　　栅极电荷（Qg）：207 nC（Vds=20 V, Id=100 A, Vgs=10 V）
　　反向恢复时间（trr）：25 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装类型：PG-HSOF-5

B4847 的核心特性在于其极低的导通电阻 Rds(on)，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提升了整体系统效率。其典型值在 Vgs=10 V 条件下仅为 0.75 mΩ，在同类 30 V N 沟道 MOSFET 中处于领先水平。这种低 Rds(on) 得益于英飞凌先进的 OptiMOS? 技术，该技术通过优化芯片结构和制造工艺，实现了载流子迁移率的最大化与电阻路径的最小化。
　　该器件具备优异的开关性能，输入电容 Ciss 为 12600 pF，反向传输电容 Crss 为 240 pF，这些参数保证了快速的开关响应和较低的驱动功率需求。同时，其栅极电荷 Qg 为 207 nC，在高频率 PWM 控制中能够有效减少开关损耗，提升电源系统的动态响应能力。此外，B4847 的反向恢复时间 trr 仅为 25 ns，意味着体二极管具有较快的恢复速度，有助于减少在桥式电路或同步整流应用中的交叉导通风险和能量损耗。
　　B4847 采用 PG-HSOF-5 封装，具有低热阻特性，结到源极热阻 Rth(j-s) 典型值为 0.7 K/W，使其能够在高功率密度环境下有效散热。该封装还支持双面冷却设计，进一步增强热管理能力，适用于持续高负载运行的应用场景。器件的工作结温范围宽达 -55 °C 至 +175 °C，确保在极端环境条件下仍能保持稳定性能，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　此外，B4847 具备良好的抗雪崩能力和稳健的栅极氧化层设计，能够承受瞬态过压和电流冲击，提高了在实际应用中的鲁棒性。其 ±20 V 的栅源电压耐受能力也增强了对驱动电路异常的容忍度，减少了因栅极过压导致的器件损坏风险。综合来看，B4847 在效率、热性能、可靠性和集成度方面表现出色，是高性能功率转换系统的理想选择。

B4847 广泛应用于需要高效率和大电流处理能力的电力电子系统中。常见应用包括服务器和通信设备的 VRM（电压调节模块），其中多相 buck 转换器需要低 Rds(on) 和快速开关的 MOSFET 来实现高效的 DC-DC 降压转换。其高达 195 A 的连续漏极电流能力使其非常适合用于大功率 CPU 或 GPU 供电方案。
　　在电动工具、无人机和电动汽车的车载充电系统中，B4847 可用于电机驱动 H 桥电路的低端或高端开关，其快速开关特性和低导通损耗有助于提高驱动效率并减少发热。此外，在工业自动化设备中的伺服驱动器和步进电机控制器中，该器件也能提供稳定的功率输出和精确的电流控制。
　　在消费类电子产品如高性能笔记本电脑、游戏主机和电源适配器中，B4847 被用于主功率级的同步整流或初级侧开关，以提升能效等级并满足能源之星等环保标准。其表面贴装封装便于自动化生产，适用于高密度 PCB 布局。
　　此外，B4847 还可用于太阳能微型逆变器、LED 驱动电源和无线充电发射端等新兴领域，尤其是在需要小型化与高功率密度兼顾的设计中表现突出。其宽温度范围和高可靠性也使其适用于严苛工业环境下的长期运行。总之，B4847 凭借其卓越的电气和热性能，成为多种现代电力电子应用中的关键功率开关元件。

BSC080N03LS G;BSC090N03LS G;IRLHS6296PbF