型号：B461G
　　制造商：ON Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）：75 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：240 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ（在VGS=10 V时）
　　导通电阻（RDS(on)）：23 mΩ（在VGS=4.5 V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 V ~ 4.0 V
　　栅极电荷（Qg）：90 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：3300 pF（典型值）
　　输出电容（Coss）：970 pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：45 ns
　　最大功耗（PD）：250 W（在TC=25°C时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-252 (DPAK)

B461G采用安森美先进的沟槽式MOSFET工艺技术，这种结构能够显著降低单位面积上的导通电阻，从而实现优异的RDS(on)性能。其在VGS=10V时的典型导通电阻仅为18mΩ，在同类产品中处于领先水平，这有助于减少导通损耗，提升整体电源转换效率。
　　该器件具备非常低的栅极电荷（Qg=90nC）和输入电容（Ciss=3300pF），这意味着它可以在高频开关应用中快速开启和关闭，减少开关延迟和能量损耗，特别适合用于高频DC-DC变换器、同步整流电路等对动态响应要求较高的系统。
　　B461G还具有较低的反向恢复时间（trr=45ns），配合体二极管的优化设计，可有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。同时，其高达±20V的栅源电压耐受能力增强了对驱动电路异常情况的容忍度，避免因过压导致器件损坏。
　　热性能方面，TO-252封装支持良好的散热路径，结合250W的最大功耗能力，使得B461G能够在较高环境温度下稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）也确保了在极端工况下的可靠性和长寿命。
　　此外，B461G内置较强的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或电感负载切换过程中承受一定的应力而不发生永久性损坏，提升了整个电源系统的鲁棒性。综合来看，B461G凭借其低导通电阻、快速开关特性、优良的热管理和高可靠性，成为众多中功率开关电源设计中的理想选择。

B461G因其优异的电气特性和可靠的封装设计，被广泛应用于多种电力电子领域。在开关模式电源（SMPS）中，它常用于初级侧或次级侧的开关元件，特别是在大电流输出的AC-DC适配器和工业电源模块中发挥关键作用。其低RDS(on)特性有效降低了导通损耗，提高了能效，满足现代能效标准如80 PLUS的要求。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，例如降压（Buck）、升压（Boost）或同步整流电路中，B461G可用作主开关或同步整流管，利用其快速开关能力和低栅极电荷实现高频操作，从而减小磁性元件体积，提升功率密度。
　　该器件也常见于电机驱动系统，包括小型电动工具、风扇、泵类设备以及电动车窗等汽车电子应用中。其高电流承载能力和良好的热稳定性确保在频繁启停和负载波动条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，B461G适用于各种工业控制系统中的固态继电器、电源分配单元和负载开关电路，提供高效的电流通断控制。在LED照明驱动电源中，它可用于恒流调节回路中的功率开关，支持高亮度LED阵列的稳定供电。
　　由于采用TO-252表面贴装封装，B461G也适合自动化贴片生产工艺，便于大规模生产。其符合RoHS指令的设计也使其适用于对环保有严格要求的产品出口市场。总体而言，B461G是一款多功能、高性能的N沟道MOSFET，适用于从消费电子到工业设备的广泛应用场景。

NTD60N03R2G
　　FQP60N03TM