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GCQ1555C1H1R6BB01D 发布时间 时间:2025/7/3 14:34:50 查看 阅读:8

GCQ1555C1H1R6BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电源、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能,能够有效提高系统的效率和稳定性。
  这款器件主要针对需要高效能和高可靠性的应用场景设计,其封装形式和电气特性使其在紧凑型设计中表现尤为突出。

参数

型号:GCQ1555C1H1R6BB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源极击穿电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):1.6mΩ
  栅极电荷(Qg):45nC
  总电容(Ciss):2500pF
  工作温度范围:-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-247

特性

GCQ1555C1H1R6BB01D具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(1.6mΩ),能够显著减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流(30A),适合大功率应用场合。
  3. 快速开关特性,支持高频操作,有助于减小外围元件体积。
  4. 良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  5. 具备出色的ESD防护能力,提高了产品的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

该芯片适用于多种电力电子设备,包括但不限于以下场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  4. 太阳能逆变器和其他新能源相关设备。
  5. 汽车电子系统中的负载切换控制。
  6. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

GCQ1555C1H1R6BB02D
  IRFZ44N
  STP30NF06L

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GCQ1555C1H1R6BB01D参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.31427卷带(TR)
  • 系列GCQ
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用RF,微波,高频,汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-