您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > B45196H6475K309

B45196H6475K309 发布时间 时间:2025/12/27 12:31:03 查看 阅读:13

B45196H6475K309 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的滤波、去耦和旁路等应用。该器件属于 EPCOS 系列产品线,具有高可靠性、小尺寸和优异的电气性能,适用于多种工业、消费类及通信类电子产品。B45196H6475K309 采用标准表面贴装封装,便于自动化生产和回流焊接,广泛应用于高频开关电源、DC-DC 转换器、射频电路以及数字逻辑电路中。该电容器具备良好的温度稳定性和低等效串联电阻(ESR),能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电容值。其设计符合 RoHS 指令要求,不含铅和其他有害物质,满足现代环保标准。此外,该型号在制造过程中遵循严格的品质控制流程,确保批次一致性与长期可靠性,适合用于对稳定性要求较高的应用场景。由于其出色的高频响应特性,B45196H6475K309 常被用作高速数字系统的电源去耦电容,以有效抑制噪声并提升系统抗干扰能力。

参数

型号:B45196H6475K309
  品牌:TDK/EPCOS
  电容值:4.7nF
  容差:±10%
  额定电压:300V AC
  介质材料:X7R
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装/尺寸:1812(4532公制)
  层数:多层
  安装类型:表面贴装(SMD)
  交流测试电压:300V AC
  直流耐压:600V DC
  绝缘电阻:≥10000MΩ 或 RxC ≥ 1000S
  等效串联电阻(ESR):典型值低,适用于高频应用
  使用寿命:在额定条件下可长期稳定运行

特性

B45196H6475K309 多层陶瓷电容器采用了先进的 X7R 介电材料技术,这种材料具有非常稳定的电容随温度变化的特性,在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内,电容值的变化不超过 ±15%,这使得它非常适合用于需要高温度稳定性的电路设计中。该器件的 1812 封装尺寸提供了较大的板级空间利用率,同时保证了足够的机械强度和热稳定性,能够承受多次回流焊过程而不影响性能。其多层结构不仅提高了单位体积内的电容密度,还显著降低了等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),从而增强了在高频下的去耦效果。
  X7R 材料的非压电性特点也减少了因机械应力引起的微音效应,提升了音频和敏感模拟电路中的使用安全性。该电容器支持高达 300V 交流电压的应用场景,适用于跨接于交流线路之间的安规设计需求,如 EMI 滤波器中的 Y 电容配置或特定隔离电路中。尽管 B45196H6475K309 并非专门定义为安规认证电容,但其高绝缘电阻和高耐压能力使其可在某些非认证场合下作为辅助绝缘元件使用。
  此外,该器件表现出优异的抗湿性和长期老化稳定性,即使在恶劣环境条件下也能维持较低的漏电流水平。TDK 对该系列产品实施了严格的质量管理体系,包括 AEC-Q200 标准的部分验证流程,虽然此型号主要面向工业而非汽车级应用,但仍具备较强的抗振动和热冲击能力。其低损耗因子(tan δ)确保了在持续运行时的能量损失最小化,有助于提高整体系统效率,特别是在高频开关电源和 DC-DC 变换器中表现突出。

应用

B45196H6475K309 主要应用于工业电子设备中的电源管理模块,例如变频器、伺服驱动器和不间断电源(UPS)系统中,用于交流侧滤波和瞬态抑制。在通信基础设施中,该电容器常被集成于基站射频单元和光网络终端设备内,发挥其高频去耦和信号路径稳定作用。由于其较高的额定交流电压,也可用于某些家电产品的 EMI 抑制电路中,如空调、洗衣机和电磁炉的电源入口处,配合共模电感构成 π 型滤波器,以满足 EMC 认证要求。此外,在医疗电子设备中,该器件可用于非直接接触型监测仪器的电源隔离段,提供可靠的噪声过滤功能。新能源领域如光伏逆变器和储能系统中,B45196H6475K309 可用于直流母线滤波和辅助电源稳压环节,帮助提升系统的电磁兼容性与运行稳定性。在测试测量仪器和精密电源供应器中,该电容因其低噪声特性和稳定的电容值而被广泛采用,用于关键节点的局部去耦和纹波吸收。随着 SMD 工艺的普及,该器件也越来越多地出现在自动化生产线上的消费类主板、显示器电源板和智能网关电路中,承担高频噪声旁路任务。其高可靠性和宽温特性使其成为严苛环境下电子系统设计的理想选择之一。

B45196H6475K309推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

B45196H6475K309资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

B45196H6475K309参数

  • 数据列表Highcap Tantalum Chip
  • 标准包装750
  • 类别电容器
  • 家庭
  • 系列B45196H
  • 电容4.7µF
  • 额定电压35V
  • 容差±10%
  • ESR(等效串联电阻)2.000 欧姆
  • 类型模制
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳2312(6032 公制)
  • 尺寸/尺寸0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
  • 高度0.110" (2.80mm)
  • 引线间隔-
  • 制造商尺寸代码C
  • 特点通用
  • 包装带卷 (TR)
  • 寿命@温度-
  • 其它名称495-2282-2 T491C475K035ZT