时间：2025/6/11 15:08:22
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LGE7378B-LF是一种基于硅技术制造的高压、高频功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用TO-252封装，适合在紧凑型设计中使用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，广泛应用于电源适配器、LED驱动器、DC-DC转换器以及消费类电子产品的电源管理电路中。
这种MOSFET的主要特点是其优化的性能参数，如低栅极电荷和高击穿电压，使其能够在高频应用中实现高效的功率转换，并减少系统的热损耗。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻：1.4Ω
栅源电压：±20V
功耗：1.9W
工作结温范围：-55℃至+150℃
LGE7378B-LF具备以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），保证了在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻（1.4Ω），有助于降低导通损耗并提高效率。
3. 高速开关能力，适用于高频应用场合。
4. 栅极电荷低，可有效减少开关损耗。
5. 小型化TO-252封装，节省空间，适合紧凑型设计。
6. 工作温度范围宽广，适应各种恶劣环境条件。
LGE7378B-LF适用于多种功率转换和电源管理场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. LED驱动器
3. 电池充电器
4. DC-DC转换器
5. 消费类电子产品中的电源管理模块
6. 便携式设备中的高效功率转换电路
LGE7378B-FH, LGE7378B-HF
