时间：2025/12/27 11:48:25
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B45196H3107K409 是由 TDK 公司生产的一款高性能多层陶瓷电容器（MLCC），专为在高频和高稳定性要求的应用中提供可靠的电容性能而设计。该器件属于 TDK 的 Megacap 系列，具有较高的电容密度和优异的温度稳定性，适用于现代电子设备中的去耦、滤波和旁路等关键电路功能。B45196H3107K409 采用标准的表面贴装（SMD）封装形式，便于自动化贴片生产，广泛应用于通信设备、消费类电子产品、工业控制系统以及汽车电子等领域。该电容器的标称电容值为 100μF，额定电压为 6.3V DC，具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，能够有效抑制电源噪声并提高系统的整体稳定性。此外，该型号符合 RoHS 指令要求，无铅且环保，适合在绿色电子产品中使用。由于其高可靠性和紧凑的设计，B45196H3107K409 在空间受限但性能要求高的应用场景中表现出色。
产品类型：陶瓷电容器
电容：100μF
额定电压：6.3V
容差：±10%
工作温度范围：-55℃ ~ +105℃
温度特性：X5R
封装/外壳：2111（5628公制）
安装类型：表面贴装（SMD）
直流偏压特性：典型值下电容随电压变化较小
ESR（等效串联电阻）：低
ESL（等效串联电感）：低
老化率：≤2.5%每 decade
介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
端接类型：镍阻挡层，锡涂层
抗焊接热：IEC 60068-2-20 标准测试通过
耐久性：在额定电压和105℃环境下可工作1000小时
B45196H3107K409 多层陶瓷电容器具备出色的电气性能和机械稳定性，是现代高密度电子电路中的理想选择。其核心优势之一在于采用了先进的 X5R 温度特性陶瓷介质材料，能够在 -55℃ 至 +105℃ 的宽温度范围内保持电容值的稳定，电容变化不超过 ±15%，这对于在极端环境条件下运行的设备至关重要。相较于传统的 Y5V 或 Z5U 材料，X5R 提供了更优的温度稳定性和更低的老化速率，确保长期使用的可靠性。
该器件具有高达 100μF 的大容量，在相同封装尺寸下实现了极高的电容密度，显著减少了对电解电容或钽电容的依赖，从而提升了系统寿命和抗失效能力。同时，由于采用多层结构设计，B45196H3107K409 展现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频开关电源中表现出卓越的去耦和滤波性能，能有效吸收瞬态电流波动，降低电源轨上的电压纹波。
在直流偏压方面，该电容器相较于普通 MLCC 显示出更温和的电容衰减特性。即使在接近额定电压的工作状态下，仍能维持较高比例的标称电容，这对于低电压大电流的数字电路供电尤为关键。此外，其端电极采用镍阻挡层和锡外涂层设计，不仅增强了抗湿性和抗氧化能力，还保证了良好的可焊性与焊接可靠性，支持回流焊工艺，适用于大规模自动化生产流程。
机械结构上，该器件经过优化设计以减少因 PCB 弯曲或热应力引起的开裂风险，具备良好的抗弯曲性能和耐焊接热冲击能力，符合 IEC 60068-2-20 等国际标准。整体设计兼顾了高性能、小型化与高可靠性，适用于车载信息娱乐系统、智能手机、基站模块、FPGA 电源管理等多种高端应用场合。
B45196H3107K409 主要用于需要高电容值与高稳定性的表面贴装电路设计中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源去耦和稳压电路，用于平滑处理器、GPU 或内存芯片供电轨上的电压波动。在通信基础设施领域，该器件广泛应用于基站射频模块、光模块和网络交换设备中，作为高频信号路径的旁路电容，提升信号完整性。
在工业控制与自动化系统中，B45196H3107K409 被用于 PLC 控制器、传感器接口和电源管理单元中，提供稳定的储能和滤波功能。此外，在汽车电子系统中，尤其是在 ADAS（高级驾驶辅助系统）、车载信息娱乐系统和车身控制模块中，该电容器因其宽温特性和高可靠性而备受青睐。
该器件也常用于 FPGA、ASIC 和 SoC 的核心电源域去耦网络中，配合其他小容值电容形成多级滤波结构，有效覆盖从低频到高频的噪声抑制需求。在 DC-DC 转换器输出端，它可作为输出滤波电容，帮助降低输出纹波电压，提高转换效率。此外，由于其无磁性特性，也可用于医疗电子和精密测量仪器中，避免对外部磁场敏感元件造成干扰。
C322C107K5RACTU
GRM55D7U1E107KA-D
CL25A107KBPNNNNE
EMK325BJ107KM-T
