FQB19N20是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252表面贴装封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用场合,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其耐压为200V,能够承受较高的电压波动,并且具备出色的热性能和电气性能。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:9.4A
导通电阻:1.3Ω(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:26nC(最大值)
输入电容:780pF
开关时间:ton=18ns,toff=39ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
FQB19N20具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:200V,确保在高压环境下的可靠性。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为1.3Ω,从而降低导通损耗。
3. 快速开关能力:较低的栅极电荷和快速的开关时间使其非常适合高频应用。
4. 紧凑封装:采用TO-252封装,节省PCB空间,同时提供良好的散热性能。
5. 稳定性:能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
6. ESD保护:内置ESD防护设计,提高了器件的抗静电能力。
FQB19N20主要应用于以下领域:
1. 开关电源:如适配器、充电器和工业电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器:用于高效电压转换,支持各种降压或升压拓扑。
3. 电机驱动:适合小型直流电机控制和驱动电路。
4. 负载开关:用作负载开关以实现动态功率管理。
5. 逆变器:在小型逆变器中作为功率输出级元件。
6. 电池管理系统:用于电池充放电保护和电流调节功能。
FQD19N20, IRF540N, AO3400