时间：2025/12/27 13:08:16
阅读：20
B43254G2567M 是由 TDK 公司生产的一款多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于爱普科斯（EPCOS）产品线，广泛应用于工业、汽车电子以及通信设备等领域。这款电容器采用高可靠性的材料和先进的制造工艺，能够在严苛的环境条件下稳定工作。其主要特点是具有较高的电容值、良好的温度稳定性以及优异的抗老化性能。B43254G2567M 被设计用于电源滤波、去耦、储能和平滑电路中，适用于直流和交流电路中的多种应用场景。由于其小型化封装，适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。此外，该元件符合 RoHS 指令要求，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环保的严格标准。
此型号中的‘2567’通常表示其电容值为 25.6μF（微法），而电压等级为 25V DC。它属于 X5R 温度特性类别，意味着其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，且电容值随温度的变化率不超过 ±15%。作为一款表面贴装器件（SMD），B43254G2567M 采用了矩形片式结构，便于自动化装配流程，提高了生产效率和焊接可靠性。
电容：25.6μF
额定电压：25V DC
温度特性：X5R
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
电容容差：±20%
封装尺寸：1812（4532 公制）
安装类型：表面贴装（SMD）
介质材料：陶瓷
类别：多层陶瓷电容器（MLCC）
直流偏压特性：随电压增加电容值下降
老化率：约2.5%每十年（典型值）
最小包装数量：1000 只/卷
抗湿性：符合IEC 61249-2-21标准
B43254G2567M 多层陶瓷电容器具备出色的电气与机械稳定性，是高性能电子系统中理想的储能与滤波元件。其核心优势之一在于采用了X5R类电介质材料，这种材料在宽温度范围内保持相对稳定的电容性能，确保了在不同工作环境下电路行为的一致性。相比其他介电类型如Y5V，X5R在-40°C到+85°C之间的电容变化控制在±15%以内，这对于需要精确信号处理或电源管理的应用至关重要。此外，该电容器在施加直流偏置电压时仍能维持较高比例的有效电容，尽管存在一定的电容衰减现象，但相较于低等级介质已有显著改善。
该器件采用先进的叠层制造技术，将多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠烧结而成，从而在有限体积内实现大容量存储能力。这种结构不仅提升了单位体积的能量密度，还降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现优异。即使在开关电源、DC-DC转换器等高频噪声环境中，也能有效抑制电压波动，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。
B43254G2567M 还具备良好的耐热冲击能力，在回流焊过程中可承受多次高温循环而不影响性能。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，增强了焊接可靠性和抗氧化能力，适用于无铅焊接工艺。同时，该产品通过AEC-Q200认证，表明其在汽车级应用中的高可靠性，可用于发动机控制单元、车载信息娱乐系统等关键部位。
此外，该电容器具有较低的漏电流和高绝缘电阻，有助于减少静态功耗并提高系统效率。其非极化特性使得在交流电路中使用无需考虑极性方向，进一步简化了设计流程。整体而言，B43254G2567M 在容量、电压、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是工业与汽车电子设计中的优选被动元件之一。
B43254G2567M 主要应用于各类需要稳定电容性能和较高能量存储能力的电子设备中。在电源管理系统中，常被用作输入/输出滤波电容，配合稳压器或DC-DC转换模块使用，以平滑电压波动并抑制高频噪声。例如，在服务器主板、工业控制器和嵌入式系统中，该电容器可有效降低电源轨上的纹波，提升数字IC（如FPGA、CPU）的工作稳定性。
在汽车电子领域，该器件广泛用于车身控制模块、ADAS辅助驾驶系统、车载充电机（OBC）以及电池管理系统（BMS）中，承担去耦、旁路和瞬态响应补偿功能。得益于其通过AEC-Q200认证，能够适应车辆运行中频繁的温度变化与振动环境，确保长期运行的可靠性。
通信设备如基站、光模块和路由器也常采用此类高容值MLCC进行信号耦合与电源去耦。此外，在医疗仪器、测试测量设备和消费类电子产品中，B43254G2567M 因其紧凑尺寸和高性能表现，成为替代传统钽电容或铝电解电容的理想选择，尤其适用于追求轻薄化与高集成度的设计方案。
由于其优良的频率响应特性和低ESR，该电容器还能用于音频放大电路的耦合与退耦环节，改善音质表现。总之，无论是在恶劣工业环境还是精密电子系统中，B43254G2567M 都能提供可靠的电性能支持，满足多样化应用需求。
C4A25X5R25Z256K
GRM45-2X5R256K
CL21B256ZQCNNEU
ECJ-2FB01H256M
UW-2567
