型号：B41851F7227M000
　　制造商：TDK/EPCOS
　　电容值：22μF
　　容差：±20%
　　额定电压：6.3V DC
　　介质材料：X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　温度特性：ΔC/C = ±15% (在 -55°C 至 +85°C)
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　端接类型：镍阻挡层，锡镀层
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　直流偏压特性：在 6.3V 偏压下，实际电容值会随电压上升而下降，典型值约为标称值的 60%-70%
　　老化率：≤2.5% 每 decade 小时（在 25°C 下）
　　电容稳定性：中等，受电压和温度影响
　　抗湿性：符合 IEC 61249-2-21 标准
　　可焊性：符合 IEC 60068-2-20 方法 2

B41851F7227M000 采用先进的多层陶瓷结构设计，通过交替堆叠内电极与陶瓷介质实现高电容密度。其内部电极为非贵金属材料（如铜或镍），相比传统的银钯电极，显著降低了制造成本，同时保持良好的导电性和耐热性。陶瓷介质选用 X5R 类型，具备较宽的工作温度范围和适中的稳定性，能够在 -55°C 到 +85°C 范围内维持 ±15% 的电容变化，满足大多数工业和消费类应用场景的需求。尽管 X5R 材料的温度稳定性不及 C0G/NP0 类介质，但其在相同体积下能提供更高的电容值，因此在空间受限的设计中极具优势。
　　该电容器具有出色的直流偏压性能，在施加接近额定电压的直流偏置时仍能保留较高比例的有效电容。例如，在 6.3V 偏压下，其电容值通常可维持在标称值的 60% 以上，这对于电源去耦尤其重要，因为许多低压系统（如 3.3V 或 5V 供电）需要在满载条件下仍保持足够的储能能力。此外，其低 ESR 和低 ESL 特性使其在高频噪声滤波方面表现优异，能够有效抑制开关电源产生的纹波和瞬态干扰。
　　B41851F7227M000 采用 1210 封装（3225 公制），是目前大容量 MLCC 中常见的尺寸之一，兼顾了电容值、额定电压与 PCB 占用面积。其机械强度良好，能够承受标准回流焊工艺的热应力，并具备一定的抗弯曲能力，减少因 PCB 弯曲导致的裂纹风险。产品经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TC）和可焊性验证，确保长期使用的稳定性。此外，该器件符合 AEC-Q200 等可靠性标准，适用于对品质要求较高的应用场景。

B41851F7227M000 广泛用于各类电子设备的电源管理单元中，作为去耦电容连接在集成电路（IC）的电源引脚附近，用于吸收瞬态电流波动，稳定供电电压。它常见于微处理器、FPGA、ASIC 和 SoC 等高速数字芯片的电源轨滤波电路中，特别是在 1.8V、2.5V、3.3V 等低压系统中发挥关键作用。由于其较高的电容值和适中的额定电压，该器件也适用于 DC-DC 转换器的输入和输出滤波环节，帮助平滑输入电流波动并降低输出电压纹波，从而提升电源转换效率和电磁兼容性（EMC）性能。
　　在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，B41851F7227M000 因其小型化封装和高电容密度而被广泛采用，有助于节省宝贵的 PCB 空间。此外，在工业控制系统、PLC 模块、传感器接口和通信基站设备中，该电容器用于增强电源系统的抗干扰能力，防止噪声传播至敏感模拟电路。在汽车电子领域，尽管其未专门标注为 AEC-Q200 认证型号，但类似规格的 EPCOS MLCC 常用于车身控制模块、信息娱乐系统和辅助驾驶系统的非动力域电路中。
　　该器件还可用于音频放大器的耦合与退耦电路、ADC/DAC 参考电压滤波以及 FPGA I/O 电源的局部储能。在多层 PCB 设计中，建议将其放置在靠近负载的位置，并通过短而宽的走线连接到地平面，以最大限度地发挥其高频滤波性能。同时，考虑到 MLCC 的压电效应，应避免在高振动环境中单独使用大尺寸高容值型号，以防产生微音效应影响信号完整性。

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　　 "C3225X5R0J226M"
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数据基于公开技术资料整理，实际使用请参考 TDK 官方最新规格书