电容：470μF
　　额定电压：2.5V DC
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　封装尺寸：1210（3225 公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　直流电阻（DCR）：典型值约 5mΩ
　　最大纹波电流：依据具体应用条件而定
　　ESR（等效串联电阻）：极低，适用于高频去耦
　　老化率：每 decade 小于 2.5%
　　介质材料：钡钛酸盐陶瓷
　　端接类型：镍阻挡层 + 锡外涂层，适用于回流焊接
　　符合 RoHS 指令：是
　　符合 AEC-Q200：是

B41851F5477M000 多层陶瓷电容器采用了 TDK 高分子导电聚合物技术与先进叠层结构设计，实现了在小型封装内提供大容量储能的能力。其核心优势在于极低的等效串联电阻（ESR），通常可低至几毫欧级别，这使得该电容器在高频开关电源环境中表现出色，能高效吸收瞬态电流尖峰并显著降低输出电压纹波。这种低 ESR 特性对于现代高速数字系统（如 FPGA、ASIC 和微处理器供电网络）至关重要，有助于提升系统的稳定性与抗干扰能力。
　　该器件使用的 X5R 温度特性介电材料确保了在 -55°C 至 +85°C 的宽温度范围内保持电容值的相对稳定，电容变化不超过 ±15%，即使在极端工作条件下也能维持可靠的性能表现。相比传统的铝电解电容或钽电容，B41851F5477M000 不仅体积更小，而且无极性设计避免了反向电压损坏的风险，同时具备更高的抗冲击和振动能力，非常适合用于汽车电子控制系统、ADAS 模块及车载信息娱乐系统。
　　此外，该 MLCC 具备优异的自愈能力，在局部介质击穿时不会发生灾难性短路故障，提升了整体系统安全性。其端电极采用三层端子结构（铜内电极 / 镍阻挡层 / 锡外涂层），增强了焊接可靠性和耐热循环性能，支持无铅回流焊工艺，满足现代绿色电子制造要求。由于其高可靠性与长寿命特性，B41851F5477M000 被广泛应用于需要持续运行且维护困难的工业自动化设备和通信基础设施中。

B41851F5477M000 主要用于需要高效电源去耦和稳定电压供应的电子系统中。在便携式消费类电子产品中，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被部署在 CPU 或 GPU 的电源输入端，作为高频旁路电容以滤除开关噪声，保障核心芯片的稳定运行。在汽车电子领域，该器件适用于车身控制模块、发动机控制单元（ECU）、车载导航系统以及高级驾驶辅助系统（ADAS）中的电源管理电路，能够在剧烈温度变化和机械振动环境下提供可靠的电容支持。
　　在工业控制和自动化系统中，B41851F5477M000 被广泛用于 PLC 控制器、伺服驱动器和工业传感器的电源滤波网络，帮助抑制电磁干扰（EMI）并提高信号完整性。此外，在电信基础设施如基站射频模块、光模块和服务器电源板中，该电容器也扮演着关键角色，尤其是在 Point-of-Load（PoL）转换器输出端，用于平滑电压波动并增强动态响应能力。
　　由于其符合 AEC-Q200 汽车级认证标准，并具备出色的温度稳定性与机械鲁棒性，B41851F5477M000 特别适合部署在高温、高湿或存在强烈振动的应用场景中。同时，其无磁特性也使其可用于精密医疗设备或测试测量仪器中，避免对敏感模拟电路造成干扰。总之，凡是要求高可靠性、小尺寸、低 ESR 和良好频率响应的电源去耦场合，该型号都是理想选择。

GRM32ER71E476KA120