B4133 时间：2025/12/27 12:34:01 阅读：13

B4133是一款由罗姆半导体（ROHM Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高效率、高频开关场景中。该器件采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，优化了导通电阻与栅极电荷之间的平衡，从而在保持低功耗的同时实现快速开关响应。B4133的设计注重热性能和可靠性，适用于对空间紧凑性和散热性能有较高要求的现代电子设备。其封装形式通常为小型化表面贴装型，如SOP-8或类似的封装，便于在高密度PCB布局中使用。作为一款中压MOSFET，B4133工作在较低的栅极驱动电压下即可实现充分导通，兼容3.3V或5V逻辑电平控制，适合与微控制器、PWM控制器等直接接口，减少了额外驱动电路的需求。此外，该器件具备良好的抗雪崩能力和坚固的结构设计，能够在瞬态过压和电流冲击下保持稳定运行，提升了系统的整体鲁棒性。

参数

型号：B4133
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：19A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：76A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.3mΩ（@Vgs=10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：5.7mΩ（@Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：2300pF（@Vds=15V）
　　输出电容（Coss）：630pF（@Vds=15V）
　　反向传输电容（Crss）：100pF（@Vds=15V）
　　总栅极电荷（Qg）：43nC（@Vgs=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：15ns
　　上升时间（tr）：40ns
　　关断延迟时间（td(off)）：35ns
　　下降时间（tf）：25ns
　　最大功耗（Pd）：62W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围（Tj）：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOP-8（Power SOP）

特性

B4133具备优异的导通性能和开关特性，其核心优势在于低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的协同优化，这使得器件在高频开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统能效。该MOSFET在Vgs=10V时Rds(on)仅为4.3mΩ，在Vgs=4.5V时也仅达到5.7mΩ，表明其在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通能力，非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的电源管理电路。这种低阈值电压和高跨导特性使其响应速度快，控制精度高。
　　该器件采用了ROHM专有的沟槽结构工艺，增强了载流子迁移率，同时通过优化芯片布局降低了寄生电感和电阻，进一步提升了高频性能。其输入电容、输出电容和反向传输电容均经过精心设计，有助于减少噪声耦合和振铃现象，提高电磁兼容性（EMC）。总栅极电荷仅为43nC，意味着驱动电路所需提供的能量较少，有利于降低驱动IC的功耗并简化外围电路设计。
　　B4133还具备出色的热稳定性，其封装采用高导热材料和内部引线设计，确保热量能够高效从芯片传递至PCB，支持长时间大电流工作。器件的最大结温可达150°C，并具有过温保护裕量，配合适当的散热设计可满足工业级和汽车级应用需求。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，能够在突发短路或电感负载断开时承受瞬态能量冲击，防止器件损坏，提高了系统的安全性和可靠性。内置体二极管具有较低的反向恢复时间，减少了反向恢复电荷，避免了不必要的能量损耗和电压尖峰。

应用

B4133广泛应用于各类中低电压、大电流的开关电源系统中，特别是在同步整流DC-DC转换器中作为主开关或整流开关使用，能够有效提升转换效率并减小整体体积。在笔记本电脑、平板电脑、路由器、机顶盒等消费类电子产品中，常用于POL（Point-of-Load）电源模块，为CPU、GPU或内存提供稳定的供电。其低Rds(on)特性也使其适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关，帮助延长电池寿命并提高能量利用率。
　　在电机驱动领域，B4133可用于H桥或半桥拓扑结构中的功率开关元件，驱动直流电机、步进电机或风扇电机，尤其适合无人机、电动工具和小型机器人等对效率和尺寸敏感的应用。此外，该器件还可用于LED驱动电路中的恒流开关，实现高亮度LED的精确调光控制。
　　由于其良好的热性能和可靠性，B4133也被用于工业自动化设备、通信基站电源模块以及车载信息娱乐系统等严苛环境中。在热插拔电路和负载开关设计中，该MOSFET能够实现软启动功能，限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。其SOP-8封装形式支持自动化贴片生产，适用于大规模制造，是高性价比、高性能功率开关的理想选择之一。