电容：2.2μF
　　额定电压：25V DC
　　电容公差：±20%
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：2.8mm
　　直流偏压效应：典型下降约40%@25V
　　绝缘电阻：≥1000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较大值）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值小于50mΩ（取决于频率）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约0.6nH
　　老化率：≤2.5%/decade
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷（X7R）
　　端接类型：镍阻挡层/锡外涂层（Ni-Sn）
　　符合标准：RoHS、REACH、AEC-Q200（部分等级）

B41231C0228M000多层陶瓷电容器的核心优势在于其卓越的温度稳定性和可靠的电气性能。采用X7R介电材料使其能够在-55°C至+125°C的极端温度条件下维持电容值的变化控制在±15%以内，这使得它特别适用于那些暴露于剧烈温度波动环境中的工业控制系统或汽车电子模块。相较于Z5U或Y5V类电容，X7R材料表现出更小的老化速率和更好的长期稳定性，通常老化率不超过2.5%每十年，从而保障了产品在整个生命周期内的性能一致性。
　　该电容器的2.2μF大容量与25V额定电压组合，在1210（3225）封装尺寸内实现了较高的体积效率，满足了高密度PCB布局需求。尽管随着直流偏置电压上升，电容值会有所下降——例如在施加25V电压时，实际可用容量可能降至初始值的60%左右，但这一表现仍优于许多同类产品，体现了TDK在材料配方和层叠结构优化方面的技术积累。
　　B41231C0228M000还具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL）特性，这使其在高频去耦应用中能够高效抑制噪声，提升电源完整性。特别是在DC-DC转换器输出滤波、FPGA或微处理器供电网络中，它可以显著减少电压纹波并增强瞬态响应能力。其镍锡端电极不仅提供了良好的可焊性，还能抵抗热循环引起的裂纹扩展，提升了焊接可靠性和抗机械应力能力。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试流程，包括高温高湿偏压（THB）、温度循环（TC）、耐焊接热等试验，确保在恶劣环境下长期运行不失效。对于追求高可靠性的应用场景如医疗仪器、航空航天子系统或车载信息娱乐系统，B41231C0228M000是一个值得信赖的选择。

B41231C0228M000因其优异的综合性能，被广泛用于多个高端电子领域。在电源管理电路中，常作为开关稳压器（如Buck、Boost变换器）的输入和输出滤波电容，利用其低ESR特性来减小能量损耗并抑制高频噪声传播。在数字系统中，该电容可用于高性能处理器、ASIC或FPGA的电源引脚附近进行局部去耦，以应对快速电流瞬变带来的电压波动，确保核心逻辑单元稳定运行。
　　在汽车电子方面，该型号适用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）、ADAS传感器供电线路以及车载信息娱乐系统的电源轨滤波。得益于其符合AEC-Q200的部分认证条件和宽温工作能力，它能承受车辆运行中的振动、湿度和温度冲击，提供持久稳定的电性能。
　　工业自动化设备如PLC控制器、伺服驱动器、工业HMI面板也大量采用此类电容，用于信号调理电路、ADC参考电压旁路以及隔离电源模块的储能环节。通信基础设施中的基站射频单元、光模块电源和网络交换机板卡同样依赖B41231C0228M000实现干净的供电环境。
　　此外，在医疗成像设备、便携式诊断仪器等对安全性和可靠性要求极高的场合，该电容有助于满足电磁兼容（EMC）法规要求并延长设备维护周期。其无磁性、低漏电和高绝缘电阻特性也使其适用于精密模拟前端电路，例如传感器信号放大器的退耦网络。总之，凡是需要兼顾大容量、高耐压、小尺寸与高可靠性的应用场景，B41231C0228M000都是一个理想选择。

GRM32DR71E226KA12L
　　CL31A226MPHNNNE
　　C3225X7R1E226K160AC
　　EMK325B71E226KN-T