类型：P-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：-20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-5.4A（@Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-14A
　　导通电阻 Rds(on)：45mΩ（@Vgs = -4.5V）
　　导通电阻 Rds(on)：55mΩ（@Vgs = -2.5V）
　　栅极阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@Vds=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOP-8V（H）
　　安装类型：表面贴装
　　功率耗散（Pd）：2.5W（@Tc=25°C）

B3P5-VH-R(LF)(SN) 具备优异的电气性能和热稳定性，适用于多种低电压、高效率的功率开关场景。其核心优势之一是低导通电阻，在 Vgs = -4.5V 条件下，Rds(on) 典型值仅为 45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。对于电池供电设备而言，这一特性尤为重要，因为它有助于延长设备运行时间并减少发热问题。此外，即使在较低的驱动电压（如 Vgs = -2.5V）下，其导通电阻仍保持在 55mΩ 的较低水平，表明该器件对逻辑电平信号具有良好的响应能力，可直接由微控制器或电源管理 IC 驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 -1.0V 至 -2.0V，属于标准逻辑电平兼容型 MOSFET，能够稳定地被 3.3V 或 5V 数字信号所控制，具备较强的抗噪声能力和稳定的开关行为。输入电容约为 600pF，在高频开关应用中表现出适中的开关速度，兼顾了开关损耗与电磁干扰之间的平衡。SOP-8V 封装不仅提供了足够的散热能力，还通过外露焊盘设计增强了热传导性能，使得在有限空间内也能实现较高的功率处理能力。
　　可靠性方面，B3P5-VH-R(LF)(SN) 经过严格的质量认证，符合 AEC-Q101 汽车级标准的部分要求，并支持无铅回流焊接工艺，满足现代环保法规需求。其宽泛的工作结温范围（最高可达 +150°C）确保了在高温环境下的长期稳定运行，适用于工业级和消费级双重应用场景。集成体二极管具有一定的反向恢复能力，可在感性负载切断时提供必要的续流通路，防止电压尖峰损坏其他元件。综合来看，该器件在性能、尺寸、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是一款适用于中等电流功率切换任务的理想选择。

B3P5-VH-R(LF)(SN) 主要应用于需要高效、小型化 P 沟道 MOSFET 的电源管理系统中。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制主电源路径的通断，实现低静态功耗待机模式或软启动功能。在多电源选择电路中，它可用于自动切换主副电源（如电池与适配器）之间的连接，确保系统始终由最优电源供电。此外，该器件也常用于负载开关电路，控制外围模块（如显示屏背光、无线通信模块、传感器阵列）的独立供电，从而实现精细化电源管理，降低系统整体功耗。
　　在热插拔应用中，B3P5-VH-R(LF)(SN) 可作为初级开关元件，配合限流和延迟电路，防止插拔瞬间产生过大浪涌电流，保护主板和其他敏感器件。由于其具备较快的开关响应速度和可控的导通特性，也可用于直流电机的启停控制或继电器驱动电路中的辅助开关。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表、蓝牙耳机等设备中，该 MOSFET 被广泛用于 PMU（电源管理单元）输出级，承担电压域隔离与分配的任务。
　　此外，该器件还可应用于各类工业控制板、嵌入式系统和物联网终端设备中的电源序列控制和故障保护机制。例如，在系统检测到过流或短路时，可通过逻辑信号迅速关断 B3P5-VH-R(LF)(SN)，切断故障支路，防止事故扩大。得益于其高集成度和表面贴装封装，该器件非常适合自动化贴片生产，有利于提高制造效率和产品一致性。总体而言，其应用覆盖了从消费电子到轻工业控制的多个领域，尤其适合对空间和能效有较高要求的设计方案。

DMG2305UX-7
　　SI2305DS-T1-E3
　　FDC630N