时间：2025/10/11 5:20:10
阅读：11
B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 是一款由 ROHM Semiconductor 生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD）。该器件采用紧凑型表面贴装封装（通常为 PMDE 或类似小型封装），专为高效率、低功耗应用设计。由于其低正向压降和快速开关特性，B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 被广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路以及高频整流场合。该型号后缀中的 (LF)(SN) 表示其符合 RoHS 指令的无铅（Lead-Free）和无卤素（Halogen-Free）环保要求，适用于对环境友好型制造工艺有严格标准的应用场景。作为 N 型半导体器件，它具有良好的热稳定性和可靠性，在连续工作条件下表现出色。此外，该二极管在反向漏电流控制方面进行了优化，能够在较高温度下保持较低的漏电水平，从而提升系统整体能效。
产品类型：肖特基二极管
配置：单路
是否无铅：是
是否环保：是
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大正向电流（IF）：500mA
最大正向压降（VF）：520mV @ 300mA
最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 25°C
结温（Tj）：150°C
封装/外壳：PMDE
安装方式：表面贴装
峰值脉冲电流（IFSM）：4A
反向恢复时间（trr）：典型值小于 10ns
B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属与半导体之间的接触形成势垒，而非传统 PN 结，从而显著降低了正向导通压降。这一特性使得器件在小电流至中等电流负载下具有更高的能量转换效率，尤其适合电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等对功耗敏感的应用。其最大正向压降仅为 520mV（在 300mA 条件下），远低于普通硅二极管的约 700mV，有效减少了功率损耗并降低发热。
该器件具备出色的开关性能，反向恢复时间 trr 典型值小于 10ns，使其在高频开关电源、DC-DC 转换器及续流二极管应用中表现优异。由于几乎没有少数载流子存储效应，肖特基二极管在关断时不会产生明显的反向恢复电流尖峰，从而减小了电磁干扰（EMI）并提高了系统的稳定性。此外，B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 的最大重复反向电压为 30V，适合用于 3.3V、5V 和 12V 等低压直流系统中的整流或防反接保护电路。
在可靠性方面，该器件的工作结温可达 150°C，表明其能在高温环境下长期稳定运行。同时，其反向漏电流在常温下仅为 0.1μA，虽然随着温度升高会有所增加，但仍在可控范围内，确保了在待机或轻载状态下的低静态功耗。封装形式为 PMDE，是一种小型化表面贴装封装，占用 PCB 面积极小，非常适合高密度布局的现代电子产品。该封装还具有良好的散热性能，有助于将芯片产生的热量及时传导至 PCB，提升整体热管理能力。
此外，B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 符合国际环保标准，不含铅和卤素，满足 RoHS 和 REACH 法规要求，适用于出口型电子产品和绿色能源项目。其生产过程遵循严格的品质管控体系，确保批次一致性与长期供货能力。
B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 主要应用于需要高效、小型化和低功耗特性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源路径管理，例如在锂电池充电回路中作为防倒灌二极管使用，防止电池向输入端反向放电。在 DC-DC 降压或升压转换器中，它常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）或输出整流二极管，利用其低 VF 特性提高转换效率，延长设备续航时间。
该器件也广泛用于各类适配器、USB 供电设备（如 USB-HUB、移动电源）、无线耳机充电仓等低电压直流电源系统中，执行整流和隔离功能。由于其快速响应能力，还可用于信号解调、钳位电路和瞬态电压抑制辅助电路中，保护敏感 IC 免受电压反弹影响。在工业控制领域，该二极管可用于传感器模块、PLC 输入接口和低功耗 MCU 供电单元中，提供可靠的单向导通保障。
此外，得益于其小型封装和表面贴装特性，B3P5-VH-FB-B-R(LF)(SN) 特别适合自动化贴片生产线，适用于大规模智能制造环境。在汽车电子中的非驱动类低压模块（如车载信息娱乐系统、车身控制模块）中也有潜在应用，前提是工作条件在其额定参数范围内。总之，任何需要低 Vf、快恢复、小尺寸和高可靠性的低压整流场景，都是该器件的理想选择。
RB751V-40TL
