B39941B9515P810 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263-3 封装形式,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用场合。该 MOSFET 具有快速开关速度和高效率的特点,适用于需要高性能功率管理的应用场景。
该型号的命名规则遵循了英飞凌的标准,其中包含了电压等级、封装形式以及性能参数的信息。通过其设计,B39941B9515P810 能够满足工业和消费电子领域的多种需求。
最大漏源电压:150V
连续漏极电流:28A
导通电阻:7.5mΩ
栅极电荷:36nC
总功耗:125W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
B39941B9515P810 的主要特点是其低导通电阻和高效率,在高电流应用中能够显著减少功率损耗。同时,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
此外,由于采用了先进的制造工艺,该 MOSFET 在高频开关条件下表现出色,能够有效降低开关损耗。它的短路耐受能力和抗浪涌能力较强,因此在复杂电路环境中也具有很高的耐用性。
B39941B9515P810 的封装形式 TO-263-3 提供了良好的散热性能,并且易于安装在印刷电路板上。这种设计使其非常适合用于紧凑型和高性能的设计方案。
该功率 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关控制的领域,例如 DC-DC 转换器、逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动控制器、LED 驱动器以及其他工业和消费类电子设备中的负载开关和保护电路。
此外,B39941B9515P810 还可以用于电池管理系统(BMS),帮助实现精确的电流控制和高效的能量管理。其高电流承载能力和低导通电阻使得它成为许多大功率应用的理想选择。
BSC016N06NS3, IRF540N