时间：2025/12/27 12:11:56
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B39871B9894P810 是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC），主要用于射频（RF）和高频电路中的滤波、耦合和旁路应用。该器件属于EPCOS品牌下的高性能电容系列，专为在高频率下保持优异的电气性能而设计。其结构采用先进的陶瓷材料与内部电极技术，确保在宽温度范围内具有稳定的电容值和低损耗特性。此型号常见于工业级通信设备、无线基础设施、基站天线系统以及测试测量仪器中，适用于对可靠性和高频响应要求较高的场合。封装形式为小型片式结构，便于自动化贴装，符合现代电子产品小型化、高密度集成的发展趋势。
产品类型：陶瓷电容器
电容值：8.2pF
容差：±0.1pF
额定电压：100V
温度系数：C0G（NP0）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装/尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：C0G（NP0）
直流偏压特性：无显著容量变化
等效串联电阻（ESR）：极低
自谐振频率（SRF）：典型值约1.8GHz
老化率：0%/decade
焊接方式：回流焊兼容
B39871B9894P810 具备出色的高频稳定性和极低的介电损耗，是C0G（NP0）类电容器的典型代表。C0G材料意味着其电容值几乎不随温度、电压或时间的变化而发生漂移，具备极高的稳定性与可预测性。在-55°C至+125°C的工作温度范围内，电容值变化不超过±30ppm/K，确保了在极端环境下的可靠运行。
该器件具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频应用中表现出优异的阻抗特性，能够有效抑制高频噪声并实现精准的信号耦合。由于其自谐振频率高达约1.8GHz，在GHz以下频段内仍能保持容性行为，适合作为射频放大器、混频器、滤波器和振荡器电路中的关键元件。
此外，该电容器采用多层结构设计，在保证小尺寸的同时提升了机械强度和热循环耐受能力。其无磁性材料构造避免了对外部磁场的干扰，适合用于高灵敏度模拟与射频电路中。产品符合RoHS指令要求，并支持标准的SMT表面贴装工艺，适用于大规模自动化生产。长期可靠性高，老化率为零，无需周期性校准或更换，广泛应用于通信、航空航天、医疗电子及高端测试设备领域。
该电容器广泛应用于高频通信系统如蜂窝基站、微波链路、卫星通信前端模块；也可用于射频识别（RFID）、雷达系统、无线局域网（WLAN）模块、蓝牙和Wi-Fi射频前端匹配网络；此外，在精密模拟电路、高速数据转换器旁路、时钟振荡器去耦以及测试与测量设备的探头补偿电路中也有重要用途。其稳定性使其成为高频滤波、阻抗匹配、交流耦合和旁路去耦的理想选择。
GRM21BR71H8R2CV01L
CC0805JRX7R9BB820
C2012X5S1H8R2C
