电容值：110pF
　　容差：±5%（J级）
　　额定电压：50V
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：通常为0805（2012公制）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷
　　电极材料：镍/银（Ni/Sn）

TV50C111J-G 属于 C0G（NP0）温度系数系列的陶瓷电容器，这意味着它具有极高的温度稳定性，适用于对频率稳定性要求较高的电路，如振荡器和滤波器。其容差为 ±5%，确保了在精密电路中的可靠性能。此外，该电容器具有低损耗特性，适合用于高频电路，且在宽温度范围内保持稳定的电容值。
　　该电容器的额定电压为50V，能够在较高电压环境下正常工作，同时其采用陶瓷介质和镍/银电极结构，具有良好的耐热性和焊接性能。在制造过程中，TV50C111J-G 通常采用无铅焊接材料，符合 RoHS 环保标准，适用于现代电子设备的环保要求。
　　由于其紧凑的封装尺寸（如0805或2012公制），TV50C111J-G 可以方便地集成到高密度PCB布局中，减少电路板空间占用，同时保持高可靠性和长期稳定性。

TV50C111J-G 多用于通信设备、射频模块、工业控制设备、消费类电子产品以及汽车电子系统等需要高稳定性和高频响应的电路中。由于其优异的电气性能，该电容器常被用作振荡器电路中的负载电容、滤波器中的旁路电容，以及在射频信号处理电路中提供精确的阻抗匹配。
　　在无线通信模块中，TV50C111J-G 被广泛用于晶体振荡器的负载电容配置中，以确保振荡频率的稳定性。在电源管理电路中，它可作为高频去耦电容，减少电源噪声对敏感模拟电路的影响。此外，该电容器还适用于高精度测量仪器和测试设备，以确保信号的高保真传输。

GRM21BR71H111KA01L（Murata）、CL21B111KAFNNBC（Samsung Electro-Mechanics）、C2220C111J5RACTU（Kemet）、C0805C111J5RACTU（Kemet）