B3955K 时间：2025/8/5 7:41:21 阅读：62

B3955K是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、电源开关和负载管理等场景。该器件采用高性能硅工艺制造，具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高可靠性和高效能的小型化电源系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：60A（在Tc=25℃）
　　功耗(Pd)：100W
　　导通电阻(Rds(on))：10.5mΩ（在Vgs=10V）
　　封装类型：TO-220AB

特性

B3955K具有多项显著的技术特性，使其在功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流负载下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。此外，该器件支持高达60A的连续漏极电流，适用于高功率需求的应用场景。
　　其次，B3955K采用TO-220AB封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在紧凑型电源设计中使用。其封装结构也便于安装和散热片连接，从而提升整体热管理性能。
　　再者，B3955K的栅源电压范围为±20V，使其能够兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。同时，该器件具备较高的耐用性和稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持可靠性能，适用于工业级和汽车电子等高要求环境。
　　最后，B3955K在制造过程中采用了先进的硅工艺和封装技术，不仅提高了器件的电气性能，还增强了其抗静电能力和环境适应性，从而延长了使用寿命。

应用

B3955K广泛应用于多种电源管理领域，包括但不限于DC-DC转换器、电源开关、负载管理电路、电机驱动器和电池管理系统。其高电流承载能力和低导通电阻使其成为高效能电源设计的理想选择，尤其是在需要高效率和紧凑布局的场合。
　　在DC-DC转换器中，B3955K可作为主开关器件，用于提高转换效率并减少发热。在电源开关应用中，该MOSFET可用于实现快速切换和稳定控制。此外，B3955K也常用于电机控制电路中，以提供高效的驱动能力和稳定的运行性能。
　　由于其优异的电气特性和封装设计，B3955K也适用于汽车电子系统，如车载电源管理、LED照明驱动和电池管理系统等场景。在这些应用中，该器件能够提供高可靠性和长使用寿命，满足汽车电子对元器件的严格要求。