产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：8.8 pF
　　容差：±0.1 pF
　　额定电压：100 V DC
　　温度特性：C0G（NP0）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装尺寸：0805（英制）/2012（公制）
　　介质材料：C0G（NP0）
　　绝缘电阻：≥100 GΩ
　　时间常数：≥100000 s
　　Q 值：≥1400 @ 1 GHz
　　自谐振频率（SRF）：≥3.5 GHz
　　ESR（等效串联电阻）：< 0.015 Ω @ 1 GHz
　　ESL（等效串联电感）：< 0.3 nH

B39182B8088P810 采用先进的超细陶瓷介质层压技术制造，确保了极高的电容精度和长期稳定性。其 C0G（NP0）介质材料具有近乎零的电容随温度变化率，在整个工作温度范围内（-55°C 至 +125°C）电容值的变化不超过 ±30 ppm/°C，保证了在高温或低温环境下仍能维持精准的匹配性能。
　　该器件具有非常高的 Q 值（品质因数），在 1 GHz 下典型值可达 1400 以上，显著降低了高频应用中的能量损耗，提升了射频系统的整体效率。高 Q 特性使其特别适用于带通滤波器、LC 谐振电路和振荡器等对相位噪声和选择性要求严格的电路中。
　　得益于优化的内部电极布局和极低的 ESL（等效串联电感）与 ESR（等效串联电阻），B39182B8088P810 在高频段表现出接近理想的电容行为，自谐振频率高达 3.5 GHz 以上，可在广泛频段内保持稳定的阻抗特性，避免因寄生效应导致的性能下降。
　　此外，该电容器具备出色的抗老化能力和长期可靠性，电容值不会随时间发生显著漂移，满足 AEC-Q200 汽车级可靠性标准，适合部署于汽车雷达、ADAS 系统和车载通信模块等高可靠性要求的应用场景。
　　其端电极为镍阻挡层加铜外电极的三层结构（Ni/Cu barrier terminal），不仅提高了焊接强度和耐热冲击能力，还有效防止了“银迁移”现象的发生，增强了在高湿环境下的使用寿命和稳定性。整体结构支持 SMT 表面贴装工艺，兼容现代高速自动化生产线。

B39182B8088P810 广泛应用于高频模拟和射频电路设计中，尤其是在对信号完整性、热稳定性和低损耗有严格要求的领域。典型应用场景包括无线通信系统中的射频前端模块（RF Front-End Module），如功率放大器（PA）的输入输出匹配网络、低噪声放大器（LNA）偏置电路、天线调谐网络等，能够有效提升增益平坦度和降低噪声系数。
　　在移动通信基础设施方面，该器件可用于 4G LTE 和 5G NR 基站的滤波和耦合电路中，特别是在毫米波前传链路和宏基站功放输出端，发挥其高 Q 值和低插损的优势，提高系统传输效率并减少发热。
　　此外，它也适用于测试与测量设备，如矢量网络分析仪（VNA）、高频示波器和信号发生器中的精密校准电路，确保测量结果的准确性和重复性。
　　在汽车电子领域，B39182B8088P810 可用于车载雷达系统（如 77GHz 毫米波雷达）、V2X 通信模块和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的高频信号路径，提供稳定可靠的电容性能。
　　其他应用还包括卫星通信终端、航空航天电子系统、医疗成像设备中的高频子系统以及高性能无线传感器网络节点等需要长期稳定运行的高端电子设备。

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　　C1005C0G1H8R8B