时间：2025/4/25 10:18:55
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B37979N1100J054 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件基于先进的半导体工艺制造，适用于高效率开关应用。其封装形式为 TO-263（D2PAK），具有较低的导通电阻和良好的开关特性，适合用于各种电源转换和电机驱动等场景。
这款功率 MOSFET 以其出色的性能、可靠性和耐用性而闻名，广泛应用于工业、消费电子以及汽车领域。
型号：B37979N1100J054
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
最大漏源电压 (VDS)：100 V
最大栅源电压 (VGS)：±20 V
连续漏极电流 (ID)：45 A
导通电阻 (RDS(on))：2.8 mΩ (在 VGS = 10 V 时)
总功耗：190 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
栅极电荷 (Qg)：73 nC
提供了低导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg)，能够显著减少传导损耗和开关损耗。它具备较高的雪崩能力，增强了器件的耐用性和可靠性。此外，该产品支持宽范围的工作温度，适应各种严苛环境。
其优异的热性能设计允许更高的电流密度，同时保持较低的温升，从而提高系统效率。另外，B37979N1100J054 的短路耐受时间较长，在典型的负载条件下可以承受至少 10 微秒的短路事件。
该器件还符合 RoHS 标准，确保环保与合规性。通过采用 Vishay 先进的制造技术，B37979N1100J054 能够满足现代电子设备对高性能和高可靠性的需求。
广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器和主开关
2. 直流/直流转换器中的高端或低端开关
3. 电机控制和驱动电路
4. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能
5. 工业自动化设备中的负载切换
6. 通信基础设施中的功率管理模块
7. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换单元
B37979N1100J054 凭借其卓越的性能指标和灵活性，成为众多工程师在设计高效功率转换电路时的首选。
BSC018N10NS3, IRF840A, FDP5500
