产品类型：陶瓷电容器 - MLCC
　　电容值：2.2nF (2200pF)
　　容差：±5%
　　额定电压：100V DC
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装/外壳：2220（5750 公制）
　　介质材料：C0G (NP0)
　　直流电阻DCR：典型值低于10mΩ
　　自谐振频率SRF：约80MHz（依应用条件而变）
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 R × C ≥ 500S
　　使用寿命：≥10万小时
　　安装类型：表面贴装（SMD）

B32923C3225M所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质赋予了它卓越的温度稳定性，其电容值在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的变化不超过±30ppm/°C，这意味着无论是在极寒还是高温环境下，电容值几乎保持不变，非常适合用于对频率稳定性要求极高的振荡电路和滤波器设计。此外，C0G材质还确保了该电容器在全电压范围内无明显的电压系数效应，即施加接近额定电压的直流偏压时，电容值不会像X7R或Y5V类电容那样大幅下降，从而保证了电路参数的一致性和可预测性。
　　该器件具有极低的介电损耗（tanδ ≤ 0.15%），使其在高频应用中表现出色，能量损耗小，发热量低，有助于提升系统效率并减少热管理负担。其高Q值和低ESR（等效串联电阻）特性使它成为射频匹配网络、LC谐振回路和高Q滤波器的理想选择。同时，由于其非铁电性介质结构，B32923C3225M不会产生微音效应或老化现象，长期使用过程中电性能高度稳定，避免了因电容老化导致的电路漂移问题。
　　机械方面，该电容器采用坚固的多层结构设计，具备良好的抗机械应力能力，能够承受多次热循环和振动环境考验，适用于工业控制、汽车电子和航空航天等领域。其端电极通常采用镍阻挡层和锡覆盖层，提供优良的可焊性和耐腐蚀性，支持无铅回流焊接工艺，兼容现代绿色制造流程。此外，该型号通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，进一步增强了其在严苛环境下的适用性。

B32923C3225M因其出色的电气稳定性和高频性能，广泛应用于对精度和可靠性要求较高的电子系统中。在射频通信设备中，它常用于LC调谐电路、阻抗匹配网络和带通滤波器，以确保信号传输的准确性和最小失真。在精密模拟电路中，如运算放大器反馈回路、有源滤波器和ADC/DAC缓冲电路，该电容器能有效维持增益和相位响应的稳定性，防止因温度波动引起的性能退化。
　　在工业自动化领域，该器件可用于传感器信号调理模块，特别是在高温或宽温环境中工作的压力、温度或位置传感器接口电路中，确保采集信号的准确性。此外，在医疗电子设备如心电图机、超声成像系统和病人监护仪中，B32923C3225M用于关键信号路径的耦合与去耦，保障生命体征数据的高保真传输。
　　在电源管理系统中，尽管其容量较小，但仍可用于高频开关电源中的噪声滤波和局部去耦，尤其是在参考电压源或基准电路周围，抑制高频干扰。此外，该电容器也常见于测试与测量仪器、示波器前端电路、频率合成器和时钟发生器中，作为定时元件或旁路电容，确保系统长时间运行的稳定性和重复性。

C32923C3225M