电容值：10nF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V
　　温度特性：X7R
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/尺寸：0805（2012）
　　介质材料：陶瓷
　　直流偏压特性：典型
　　绝缘电阻：≥4GΩ·μF
　　最大工作电压（AC）：17Vrms
　　击穿电压：≥150V
　　等效串联电阻（ESR）：低
　　老化率：≤2.5% / decade
　　磁性：非磁性
　　端接类型：Ni/Sn（镍/锡）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：IEC 60384-8/21, RoHS, REACH

B32621A6103K采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由交替堆叠的陶瓷介质与内电极构成，形成高密度电容结构，在小体积下实现较高的电容量。其使用的X7R型介质材料具有优异的温度稳定性，保证在-55°C至+125°C的整个工作温度范围内，电容值变化不超过±15%，满足大多数工业级和汽车级应用场景的需求。相较于Z5U或Y5V类电容，X7R材料在温度变化下的性能更加稳定，特别适合对精度有一定要求但又不需要NP0/C0G级别的极端稳定性场合。
　　该器件具备出色的直流偏压特性，即使在接近额定电压的工作条件下，电容值下降幅度也相对较小，从而确保电路设计中的实际性能与理论计算更为一致。这对于电源去耦应用尤为重要，因为在动态负载变化时，稳定的电容值有助于维持电压平稳，减少系统噪声和电压波动。此外，低等效串联电阻（ESR）使其在高频环境下表现出色，能有效滤除高频噪声，提升电源完整性。
　　B32621A6103K的机械结构经过优化，具备良好的抗热冲击能力，能够承受回流焊过程中的高温循环而不发生裂纹或失效。其端电极为三层电极结构（铜-镍-锡），提供优异的可焊性和长期可靠性，防止因环境湿度或温度循环导致的端子腐蚀。产品在出厂前经过严格的电气测试和可靠性验证，包括寿命试验、温度循环、湿度负荷测试等，确保每一批次都达到高标准的质量水平。
　　在电磁兼容性（EMC）方面，该电容器可用于构建高效的EMI滤波网络，配合其他无源元件抑制传导干扰。其非磁性特性也使其适用于高灵敏度模拟电路和医疗电子设备中，避免引入额外的磁场干扰。整体而言，B32621A6103K是一款兼顾性能、可靠性和成本效益的通用型MLCC，适用于多种严苛工作环境下的电子系统设计。

B32621A6103K广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）的输入输出滤波电路，用于平滑电压波动并减少高频噪声传播；在DC-DC转换器中作为去耦电容，为IC提供瞬态电流支持，维持电源轨稳定；在微处理器、FPGA和ASIC的电源引脚附近用作旁路电容，快速响应负载变化，防止电压跌落影响系统运行。
　　在通信设备中，该电容器可用于射频前端模块的偏置电路滤波和信号耦合，帮助隔离直流分量同时传递交流信号；在工业控制系统中，它被用于PLC模块、传感器接口电路和数据采集系统的抗干扰设计，提高系统的稳定性和抗噪能力。
　　此外，由于其工作温度范围宽且可靠性高，B32621A6103K也适用于汽车电子应用，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助驾驶系统中的电源管理单元。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中，该器件用于主板上的多点去耦和噪声抑制，保障高速数字信号的完整性。
　　在医疗电子设备中，因其无卤素、无铅且非磁性的特点，也可用于便携式监护仪、超声探头等对安全性和EMI敏感的应用场景。总之，该电容器凭借其综合性能优势，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

GRM21BR71H103KA01L