类型: NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 30V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 50V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 5V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　功耗（PD）: 300mW
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装类型: TO-92

B3100BF具有良好的高频响应和稳定性，适合用于中高频放大电路。其NPN结构提供了良好的电流放大能力，能够在低电压条件下工作，适合电池供电设备。该晶体管的TO-92封装形式具有良好的散热性能，同时便于手工焊接和安装。此外，B3100BF具有较高的可靠性，能够在多种环境条件下稳定运行。
　　这款晶体管的电流放大系数（hFE）通常在110至800之间，具体数值取决于工作电流和电压条件。其较高的集电极-基极击穿电压（50V）使其能够在较高电压环境下使用，而不会轻易损坏。B3100BF还具备较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于提高电路的能效，减少发热。
　　由于其良好的温度稳定性和较低的噪声系数，B3100BF常用于音频放大器、射频（RF）放大器、信号处理电路以及各类开关电路中。该晶体管还可以作为达林顿对管的一部分，用于提高整体电路的电流增益。

B3100BF主要用于音频放大器、射频（RF）放大器、开关电路、逻辑门电路、传感器信号调理、低噪声放大器、振荡器和稳压电路等应用。它在消费电子产品如收音机、电视机、音响设备中被广泛使用，同时也适用于工业控制系统、自动化设备、通信模块和仪表仪器等场景。

2N3904, BC547, 2N2222, PN2222, S9014