类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　最大功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223、TO-252（DPAK）

B260F MOSFET具备多项优异特性，使其在电源管理领域中表现突出。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。其次，该器件支持高达60A的连续漏极电流，适用于中高功率负载的开关控制。B260F的栅极驱动电压范围宽广，通常可在4.5V至20V之间工作，兼容多种驱动电路设计。此外，它具备良好的热稳定性和高耐压能力，适用于高频率开关应用。该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了在异常工况下的可靠性。
　　在封装方面，B260F采用SOT-223或TO-252（DPAK）封装形式，体积小且便于散热，适合PCB表面贴装工艺，广泛用于电源适配器、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统（BMS）和负载开关电路中。

B260F MOSFET广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于以下领域：
　　1. **电源管理**：用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器。
　　2. **负载开关**：在电池供电设备中控制负载的通断，如笔记本电脑、平板电脑和智能设备。
　　3. **马达驱动**：用于电动工具、风扇和小型马达的H桥驱动电路中。
　　4. **电池管理系统**：在BMS中用于充放电路径的控制与保护。
　　5. **工业控制**：用于PLC、工业电源和自动化设备中的功率开关。

B260F的替代型号包括B280F、B260FD、B260-F、IRL260N、IPD60N03S4-03、NTMFS4C10N、FDS6680、SiR178DP等。这些型号在性能、封装或电气参数上与B260F相近，可根据具体应用需求进行选择。