类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：10A
　　导通电阻(RDS(on))：最大值24mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装：DFN2020-6L
　　功耗(PD)：3.5W

B240-F MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，实现了非常低的导通电阻和高开关性能。其RDS(on)值在VGS=10V下仅为24mΩ，大幅降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。
　　此外，该器件具有高达40V的漏源耐压能力，可承受较高的瞬态电压，适用于多种中低压功率转换场景。
　　其DFN2020-6L封装具备优良的热性能和空间效率，适合在高密度PCB布局中使用。同时，B240-F的栅极驱动电压范围宽广，支持与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
　　该MOSFET还具备快速开关速度，降低了开关损耗，并减少电磁干扰（EMI）的影响。其热阻较低，有助于在高电流条件下保持稳定的温度表现，提高系统可靠性。
　　此外，B240-F具备良好的雪崩能量耐受能力，在非正常工作条件下也能保持较高的耐用性。

B240-F广泛应用于各类电源管理系统中，包括同步整流型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电源分配系统以及电机驱动电路。
　　在计算设备中，该器件适用于VRM（电压调节模块）和服务器电源设计，为CPU和GPU提供高效稳定的供电。
　　在工业自动化和电机控制领域，B240-F可用于驱动各种类型的直流电机和步进电机，实现高效、低发热的控制方案。
　　此外，它还适用于消费类电子产品，如移动电源、充电器和无线充电设备，满足对小型化和高能效的需求。
　　在汽车电子应用中，该MOSFET可用于车载充电系统、DC-DC转换模块和车身控制模块，提供稳定可靠的功率控制能力。

Si2302DS, BSS138K, 2N7002, AO3400A, FDS6680