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IS46TR16640B-125KBLA3 发布时间 时间:2025/12/28 18:47:58 查看 阅读:20

IS46TR16640B-125KBLA3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有16位数据宽度和64K地址空间,总容量为1Mbit(64K x 16)。它广泛应用于需要高性能存储解决方案的通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统中。

参数

容量:1Mbit(64K x 16)
  电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:12ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:54-TSOP
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54-TSOP(18.4mm x 20mm)
  封装材料:塑料
  最大功耗:典型值为120mA(待机模式下小于10mA)

特性

IS46TR16640B-125KBLA3 是一款高性能异步SRAM芯片,采用CMOS技术制造,具有出色的稳定性和低功耗特性。其异步接口设计使其适用于多种嵌入式和工业控制应用,而无需复杂的时序控制电路。
  该芯片的访问时间为12ns,可满足高速数据存取的需求,同时其工作电压范围较宽(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的适应性。芯片内部采用先进的工艺技术,确保在高温环境下也能稳定工作,工作温度范围为-40°C至+85°C,适合工业级应用需求。
  IS46TR16640B-125KBLA3采用54引脚TSOP封装,体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用。其低待机电流(小于10mA)有助于降低系统整体功耗,适用于电池供电设备或对能效有要求的应用场景。
  此外,该SRAM芯片具备良好的抗干扰能力,能够在复杂电磁环境中保持数据的完整性。其高可靠性和成熟的设计使其广泛应用于路由器、交换机、PLC控制器、工业计算机、测量仪器以及数据采集系统等关键领域。

应用

IS46TR16640B-125KBLA3 SRAM芯片常用于需要快速随机访问存储器的场合,适用于工业自动化控制系统、通信设备(如路由器和交换机)、网络硬件、测试与测量仪器、嵌入式系统、数据采集设备以及高性能计算模块等应用场景。由于其低功耗、高速访问和宽工作温度范围,特别适合用于对可靠性要求较高的工业和通信系统中。

替代型号

IS46LVT16640A-125KBLA3, CY7C1061DV33-12ZSXI, IDT71V1216SA12PFGI, IS46R16512B125KBLA3

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IS46TR16640B-125KBLA3参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-TWBGA(9x13)