B20B-XADSS-N 是一款基于硅技术的双向瞬态电压抑制二极管(TVS),专为保护电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和其他瞬态过压事件的影响而设计。该器件具有快速响应时间、低电容和高浪涌电流能力,广泛应用于数据线保护、信号线保护以及高速接口保护等场景。
这款 TVS 二极管采用 DO-214AC 小型封装(也称为 SMAJ 封装),具有出色的热稳定性和可靠性,适合在恶劣环境条件下使用。
工作电压:20V
峰值脉冲电流:38.1A(8/20μs 波形)
钳位电压:35.3V( IPP = 38.1A 时)
反向 standoff 电压:20V
最大反向漏电流:1μA(在 VRWM = 20V 下)
结电容:≤ 4.6pF
响应时间:≤ 1ps
封装形式:DO-214AC(SMAJ)
B20B-XADSS-N 具有以下主要特性:
1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态电压波动。
2. 高浪涌电流承受能力,确保在极端条件下的可靠性。
3. 极低的电容值,非常适合高速数据线和信号线的应用。
4. 双向设计,提供对称的保护功能,适用于交流信号线路。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合无铅焊接工艺。
6. 在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内保持稳定性能。
B20B-XADSS-N 主要应用于需要过压保护的各种电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 数据通信接口保护,例如 USB、HDMI、以太网等。
2. 工业控制系统的信号线保护。
3. 消费类电子产品中的电源和信号输入端口保护。
4. 汽车电子中的 CAN 总线、LIN 总线保护。
5. 无线通信设备中的射频前端保护。
6. 医疗设备中的敏感电路保护。
B20B-QXDSK-N, B20B-XADS-N