时间：2025/6/12 17:37:10
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BSS84EV是一种N沟道增强型小信号MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它广泛应用于各种电子电路中，用于开关和放大功能。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性等优点。其小型化封装使得它非常适合于空间受限的设计。
最大漏源电压：-50V
最大栅源电压：±20V
最大漏极电流：-0.15A
功耗：200mW
导通电阻：300Ω
工作温度范围：-55℃至150℃
BSS84EV的主要特性包括：
1. 高击穿电压，适用于多种电源管理场景。
2. 极低的输入电容和输出电容，确保快速开关性能。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 具有优秀的温度稳定性，适合高温环境下的应用。
5. 适用于电池供电设备，因其静态功耗非常低。
6. 内部设计优化，提供出色的ESD防护能力。
BSS84EV被广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和直流-直流转换器中的开关元件。
2. 便携式电子设备中的负载开关。
3. 数据通信设备中的信号切换。
4. 汽车电子系统中的保护电路。
5. 各种消费类电子产品中的逻辑电平控制开关。
6. 过流保护和短路保护电路。
7. 可穿戴设备和其他低功耗应用场景。
BSS84P, BSS123, BSS138
