B2080 时间：2025/9/3 5:15:21 阅读：7

B2080是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高效能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率密度和高效率的电源管理系统。该器件采用先进的制程技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、工业电机控制以及各种电源应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：80A（在Tc=100℃）
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：在Vgs=10V时，典型值为0.022Ω
　　功耗（Ptot）：200W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247、TO-263（表面贴装）等

特性

B2080具有多项卓越的电气和物理特性，首先是其极低的导通电阻，使得在高电流工作条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提升整体系统效率。其次，该MOSFET采用了高耐压的结构设计，最大漏源电压可达200V，适用于高压应用环境。此外，其高功率耗散能力使其在高温环境下依然保持良好的稳定性。
　　B2080的栅极驱动电压范围较宽，可达±20V，确保在各种驱动条件下都能实现良好的导通与关断控制。其封装形式多样，包括TO-247和TO-263，便于根据应用需求选择合适的封装方式。TO-247封装适用于高功率应用，而TO-263则适合表面贴装工艺，提升自动化生产效率。
　　该器件还具备优异的抗雪崩能力和高重复雪崩能量，确保在极端工作条件下仍能保持可靠性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，提升系统响应速度。在高温度环境下，B2080仍能维持稳定的电气性能，适用于工业自动化、电动汽车充电器、不间断电源（UPS）等领域。