您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > B15150BS1

B15150BS1 发布时间 时间:2025/8/13 18:38:35 查看 阅读:8

B15150BS1是一款由Rohm Semiconductor生产的N沟道功率MOSFET,专为高效率和高可靠性的功率转换应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):150V
  连续漏极电流(Id):20A
  漏极脉冲电流(Idm):80A
  功耗(Pd):150W
  导通电阻(Rds(on)):0.11Ω(最大值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  工作温度范围:-55°C~150°C
  封装类型:TO-220
  引脚数:3

特性

B15150BS1具备一系列先进的电气和机械特性,使其成为高性能功率电子设备的理想选择。
  首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。这种低电阻特性在高电流应用中尤为重要,因为它可以减少热量的产生,提高系统的稳定性和寿命。
  其次,B15150BS1采用TO-220封装,具有良好的散热性能。该封装设计允许器件在高功率条件下长时间运行而不至于过热,从而保证了器件的可靠性和耐用性。此外,TO-220封装易于安装在散热片上,进一步增强了热管理能力。
  该器件还具有较高的电流承受能力。在连续漏极电流条件下,B15150BS1可以承受高达20A的电流,而在脉冲条件下,其漏极脉冲电流可达80A。这种高电流能力使其适用于需要瞬时高功率输出的应用,如电机驱动和开关电源。
  此外,B15150BS1的栅极阈值电压范围为2V~4V,使其兼容多种控制电路。这一特性简化了栅极驱动电路的设计,降低了系统的复杂性和成本。同时,其工作温度范围为-55°C~150°C,使其能够在各种环境条件下稳定运行,适用于工业和汽车等严苛环境。
  最后,B15150BS1的功率耗散能力高达150W,进一步增强了其在高功率应用中的适用性。这使得该器件能够在不牺牲性能的前提下,处理更高的功率负载。

应用

B15150BS1广泛应用于多种功率电子系统中。其主要应用包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机控制和逆变器等。在开关电源中,该器件可以用于主开关或同步整流器,以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中,B15150BS1可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,实现高效的电压调节。在负载开关应用中,该器件可以作为电子开关,控制电源的通断,适用于电池供电设备和便携式电子产品。在电机控制中,B15150BS1可用于H桥电路,实现电机的正反转控制和速度调节。此外,该器件还可用于逆变器和不间断电源(UPS)系统,提供高效的电力转换解决方案。由于其高可靠性和宽工作温度范围,B15150BS1也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统和车身控制模块。

替代型号

IRF150, FQP15N10L, STP15NK50ZFP

B15150BS1资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载