您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CDR33BP132BKZRAT

CDR33BP132BKZRAT 发布时间 时间:2025/6/3 22:40:27 查看 阅读:5

CDR33BP132BKZRAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET,专为高效率和高频应用设计。该器件采用 D2PAK-7 封装形式,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适合用于电动汽车、太阳能逆变器、服务器电源等高效能量转换场景。
  该芯片利用 SiC 材料的优异性能,能够显著降低传导和开关损耗,同时支持更高的工作温度范围。其先进的封装技术也进一步提升了散热性能,从而增强了系统的整体可靠性。

参数

最大漏源电压:1200V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:165nC
  反向恢复时间:60ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

CDR33BP132BKZRAT 提供了卓越的电气性能和热性能,其主要特点如下:
  1. 基于 SiC 技术的功率 MOSFET,具备更低的导通电阻和更高的效率。
  2. 支持高达 1200V 的漏源电压,适用于高压应用场景。
  3. 极低的栅极电荷和输出电荷,确保快速开关速度,减少开关损耗。
  4. 反向恢复时间短,进一步优化高频操作时的性能。
  5. 工作温度范围宽广,可适应极端环境条件。
  6. 先进的 D2PAK-7 封装形式提供出色的散热能力和易于安装的优势。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合,具体包括:
  1. 电动汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
  2. 太阳能光伏逆变器,用于将直流电转换为交流电。
  3. 数据中心和工业设备中的高效 DC-DC 转换器。
  4. 不间断电源 (UPS) 系统。
  5. 高频谐振变换器和其他要求快速开关能力的电力电子系统。

替代型号

CDR33BP120BZDAT, CDR28BP1200BZPAT

CDR33BP132BKZRAT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR33
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1300 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数BP
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用高可靠性
  • 故障率R(0.01%)
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.049"(1.25mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-