时间：2025/6/3 22:40:27
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CDR33BP132BKZRAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的功率 MOSFET，专为高效率和高频应用设计。该器件采用 D2PAK-7 封装形式，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于电动汽车、太阳能逆变器、服务器电源等高效能量转换场景。
该芯片利用 SiC 材料的优异性能，能够显著降低传导和开关损耗，同时支持更高的工作温度范围。其先进的封装技术也进一步提升了散热性能，从而增强了系统的整体可靠性。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：33A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：165nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
CDR33BP132BKZRAT 提供了卓越的电气性能和热性能，其主要特点如下：
1. 基于 SiC 技术的功率 MOSFET，具备更低的导通电阻和更高的效率。
2. 支持高达 1200V 的漏源电压，适用于高压应用场景。
3. 极低的栅极电荷和输出电荷，确保快速开关速度，减少开关损耗。
4. 反向恢复时间短，进一步优化高频操作时的性能。
5. 工作温度范围宽广，可适应极端环境条件。
6. 先进的 D2PAK-7 封装形式提供出色的散热能力和易于安装的优势。
这款功率 MOSFET 广泛应用于需要高效率和高功率密度的场合，具体包括：
1. 电动汽车中的牵引逆变器和车载充电器。
2. 太阳能光伏逆变器，用于将直流电转换为交流电。
3. 数据中心和工业设备中的高效 DC-DC 转换器。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 高频谐振变换器和其他要求快速开关能力的电力电子系统。
CDR33BP120BZDAT, CDR28BP1200BZPAT
