B13N50R 时间：2025/9/7 11:22:22 阅读：22

B13N50R 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高效率、高频率开关应用，广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和负载开关等场景。B13N50R 具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压能力以及优异的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大漏极电流（ID）：13A
　　最大导通电阻（RDS(on)）：约0.38Ω（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220、D2PAK等

特性

B13N50R 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得在高电流应用中可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用先进的平面条形沟槽技术，提高了导通性能和开关速度，同时保持了良好的热管理能力。
　　B13N50R 还具有良好的雪崩能量耐受能力，这意味着它在面对高电压尖峰时具有更高的稳定性和可靠性，适用于一些高应力的开关环境。
　　此外，该MOSFET具备快速恢复二极管特性，在反向恢复过程中产生的损耗较小，适用于高频开关电路。其栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，简化了驱动电路的设计难度。
　　在封装方面，B13N50R 通常采用TO-220或D2PAK等标准封装形式，具有良好的散热性能，适用于多种PCB布局。

应用

B13N50R 主要应用于各类电源管理系统中，包括AC-DC适配器、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、电机驱动、电池充电器、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制单元。
　　在消费类电子产品中，如电源适配器、LED照明驱动电路中，B13N50R 也能发挥优异的性能表现。
　　此外，由于其具备良好的热管理和高可靠性，B13N50R 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具以及电动车控制系统等场景。