时间：2025/12/28 15:25:41
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B1367是一款N沟道增强型功率MOSFET，通常用于电源管理、电机控制和开关电源等应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于各种需要高效能开关性能的电路设计。B1367以其稳定的性能和可靠性广泛应用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大漏极电流(Id)：20A
导通电阻(Rds(on))：约28mΩ（典型值）
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、DPAK等
B1367具备多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力和良好的热稳定性，适合高功率密度设计。此外，B1367具有较高的耐压能力，可在60V的漏源电压下稳定工作，适应多种电源管理场景。其快速开关特性也使其适用于高频开关应用，减少开关损耗。器件还具有良好的抗过载和短路保护能力，提高了系统的可靠性和安全性。最后，B1367采用标准TO-220或DPAK封装，便于安装和散热，适用于多种PCB布局和功率模块设计。
B1367常用于各类功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、LED照明驱动电路、工业自动化控制系统以及汽车电子中的各种功率控制模块。其高效率和高可靠性的特点使其成为工程师在中高功率应用中的首选MOSFET之一。
IRFZ44N、FDP6030L、Si4410BDY、IPB136N06N
