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VT6T12T2R 发布时间 时间:2025/11/7 20:24:01 查看 阅读:9

VT6T12T2R是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅晶体管阵列。该器件集成了六个独立的N沟道MOSFET晶体管,采用先进的TrenchFET技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。器件封装在微型的6引脚SOT-23(SC-88A)封装中,适用于对空间要求极为严苛的便携式电子设备和高密度PCB布局设计。VT6T12T2R的主要设计目标是提供一种高效、紧凑且可靠的解决方案,用于电池供电系统中的电源管理、负载开关控制、LED驱动以及逻辑电平转换等应用。
  该器件的命名遵循Vishay的标准编码规则,其中“VT”代表Vishay Siliconix系列,“6T”表示内部包含六个晶体管单元,“12”可能指代特定的产品序列或电压等级,“T2R”通常表示卷带包装形式。由于其高度集成化的设计,VT6T12T2R能够显著减少电路板上分立元件的数量,从而降低整体系统成本并提高可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的ESD保护能力,适合在工业级温度范围内稳定工作。

参数

型号:VT6T12T2R
  制造商:Vishay Intertechnology
  产品类型:MOSFET阵列
  晶体管配置:6个独立N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):12 V
  栅源电压(VGS):±8 V
  连续漏极电流(ID):每通道300 mA
  脉冲漏极电流(ID_pulse):每通道1.2 A
  Rds(on) @ Vgs=4.5V:典型值35 mΩ
  Rds(on) @ Vgs=2.5V:典型值50 mΩ
  开启延迟时间(t_d(on)):约1.5 ns
  关断延迟时间(t_d(off)):约2.0 ns
  上升时间(t_r):约1.0 ns
  下降时间(t_f):约0.8 ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23-6 (SC-88A)
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

VT6T12T2R采用Vishay先进的TrenchFET?功率MOSFET技术,这项技术通过在硅片上构建垂直沟道结构,实现了极低的单位面积导通电阻(Rds(on)),同时保持了较小的芯片尺寸。这种结构不仅提高了器件的电流处理能力,还显著降低了导通损耗,使其非常适合用于低电压、高效率的电源管理系统中。每个MOSFET通道的典型Rds(on)仅为35mΩ(在Vgs=4.5V条件下),即使在低输入电压下也能实现高效的能量传输,减少了发热问题。
  该器件集成了六个完全独立的N沟道MOSFET,所有晶体管共用一个散热焊盘但电气隔离,允许用户灵活地将它们用于不同的功能模块,例如多个负载开关、LED背光驱动或多路信号切换。由于采用了微型SOT-23-6封装,整体体积非常小,适合应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他空间受限的便携式电子产品中。该封装还具备良好的热传导性能,可通过PCB上的铜箔进行有效散热。
  VT6T12T2R具有快速的开关响应时间,开启延迟约为1.5ns,关断延迟约为2.0ns,配合极短的上升和下降时间(均小于1ns),使其能够在高频PWM控制应用中表现出色,如动态背光调节或数字信号缓冲。此外,器件的栅极电荷(Qg)较低,进一步降低了驱动电路的功耗需求,提升了系统整体能效。
  该器件支持宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在严苛的环境条件下稳定运行,适用于工业控制、汽车电子外围电路及医疗设备等对可靠性要求较高的领域。所有端口均具备一定的静电放电(ESD)防护能力,增强了在生产装配和现场使用过程中的鲁棒性。产品符合无铅(Pb-free)和RoHS指令要求,支持绿色环保制造流程。

应用

VT6T12T2R广泛应用于需要多通道低侧开关控制的便携式和高密度电子系统中。常见用途包括移动设备中的LCD/OLED显示屏背光LED驱动电路,利用其六路独立输出实现分区调光控制,提升显示效果的同时降低功耗。此外,它也常被用作电池供电系统的负载开关,控制不同功能模块的电源通断,以实现节能待机或系统休眠模式下的电源管理。
  在通信设备和消费类电子产品中,VT6T12T2R可用于I2C、SPI或其他数字接口总线的电平转换与信号缓冲,特别是在主控芯片与外设之间存在电压不匹配的情况下,能够安全可靠地传递逻辑信号。其低导通电阻和快速响应特性确保了信号完整性,避免数据传输错误。
  该器件还可用于小型电机驱动、继电器驱动或传感器使能控制电路中,作为低功率驱动级使用。在多路复用系统中,六个独立MOSFET可以分别控制不同的模拟或数字路径切换,实现灵活的功能配置。由于其SOT-23-6封装易于自动化贴片组装,因此非常适合大规模量产的应用场景,如智能家居设备、物联网终端节点、便携式医疗监测仪等。
  在工业自动化和汽车电子领域,VT6T12T2R可用于车身控制模块中的灯光控制、按钮背光或执行器驱动电路,尤其适用于12V低压供电系统。其高集成度有助于减少BOM数量和PCB面积,提高系统可靠性。总体而言,任何需要多个小型MOSFET进行开关控制的应用都可以考虑使用VT6T12T2R作为优化方案。

替代型号

Si3456DV-T1-E3
  DMG2302UK-7
  FDC6322L
  TPS22810
  NMMT4124

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VT6T12T2R参数

  • 现有数量7,875现货
  • 价格1 : ¥3.34000剪切带(CT)8,000 : ¥0.88819卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态最后售卖
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大值150mW
  • 频率 - 跃迁300MHz
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装VMT6