晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　最大工作频率（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级）
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

B1203T-W5 的主要特性之一是其高增益性能，hFE 值可以根据不同的等级从 110 到 800 变化，使其适用于需要高放大倍数的电路。此外，该晶体管具有较低的噪声系数，这使其特别适合用于低噪声放大器（LNA）和射频接收电路。该器件的工作频率高达 100 MHz，在高频应用中表现优异。
　　另一个显著特点是其紧凑的 SOT-323 封装形式，适用于空间受限的 PCB 设计，并且支持表面贴装工艺，提高了组装效率和可靠性。B1203T-W5 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作，适合工业和汽车等严苛环境下的应用。
　　该晶体管的集电极-发射极击穿电压为 50 V，集电极电流最大为 100 mA，最大功耗为 200 mW，这使得它在多种低功耗和中等功率应用中表现出色。此外，该器件的可靠性较高，符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的项目。

B1203T-W5 主要应用于射频（RF）放大器、低噪声放大器（LNA）、高频放大器、无线通信设备、传感器电路、音频放大器前置级、电源管理电路以及通用开关和放大电路。由于其高增益和低噪声特性，它在无线接收器前端放大器中特别有用，可以有效提升信号强度而不引入过多噪声。
　　此外，该晶体管还可用于工业控制系统、消费类电子产品、汽车电子模块以及物联网（IoT）设备中的信号处理和放大。SOT-323 封装形式使其适用于紧凑型设计，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品。
　　在射频应用中，B1203T-W5 常被用于 VHF（甚高频）和 UHF（超高频）频段的信号放大，适用于广播、通信和测试设备等领域。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A, BFQ54