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GA1206A472GXABT31G 发布时间 时间:2025/5/26 14:14:22 查看 阅读:13

GA1206A472GXABT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频应用中提供高效能表现。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其设计能够承受高电压并支持大电流输出,适用于各种需要高效率和高可靠性的应用场景。

参数

类型:N沟道增强型 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  导通电阻(Rds(on)):470mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗(Ptot):20W
  工作温度范围(Topr):-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220

特性

GA1206A472GXABT31G 的主要特性包括:
  1. 高电压耐受能力,最大漏源电压高达650V,适合高压应用场景。
  2. 极低的导通电阻,Rds(on)仅为470mΩ(在Vgs=10V时),有助于降低功率损耗。
  3. 快速开关速度,可有效减少开关损耗并提高系统效率。
  4. 宽广的工作温度范围,从-55°C到+175°C,确保在极端环境下的稳定性。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
  6. 具备出色的热性能,通过优化封装设计提高散热效率。

应用

GA1206A472GXABT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)。
  3. 电机驱动控制,例如家用电器中的风扇或泵。
  4. 工业自动化设备中的电源管理和驱动电路。
  5. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
  6. 各种需要高压大电流开关的应用场景。

替代型号

GA1206A472GXABT31J, IRF840, STP12NM65

GA1206A472GXABT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容4700 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-