型号：B1184
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：70 A
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5 mΩ（@ Vgs = 10 V）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5 mΩ（@ Vgs = 4.5 V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　最大功耗（Pd）：125 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　输入电容（Ciss）：约 2800 pF（@ Vds = 15 V）
　　输出电容（Coss）：约 950 pF（@ Vds = 15 V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值 25 ns
　　封装形式：DPAK (TO-252)
　　安装类型：表面贴装（SMD）

B1184采用先进的TrenchMOS工艺制造，这种技术通过在硅片上构建垂直导电沟道来显著降低导通电阻，从而提高电流处理能力和效率。其超低的导通电阻（Rds(on)）在同级别器件中处于领先水平，在Vgs=10V时仅为3.5mΩ，即使在较低驱动电压如4.5V下也能保持4.5mΩ的优异表现，这使得它非常适合用于大电流、低电压的应用环境，例如电池管理系统、电动工具和便携式设备电源模块。该特性有效减少了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。
　　该器件具有较低的栅极电荷（Qg），典型值约为50nC（@ Vds=15V, Id=35A），这意味着在开关过程中所需的驱动能量较少，有利于降低驱动IC的负担，并支持更高的开关频率运行。结合较低的输出电容和输入电容，B1184在高频DC-DC变换器中展现出卓越的动态响应性能，能够减少开关过渡过程中的能量损失，进一步提升电源转换效率。
　　B1184还具备出色的热稳定性和长期可靠性，其最大结温可达+175°C，确保在高温环境下仍能安全运行。器件内部结构经过优化，具备较强的抗雪崩击穿能力，能够在突发的电压尖峰或感性负载断开时吸收一定的能量而不损坏，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　此外，该MOSFET支持逻辑电平驱动，栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，允许直接由3.3V或5V微控制器GPIO引脚驱动，无需额外的电平转换或复杂驱动电路，简化了设计流程并降低了成本。其DPAK封装提供了良好的散热路径，可通过PCB铜箔进行有效热传导，适用于需要紧凑布局但又要求一定功率密度的设计场景。综合来看，B1184在导通性能、开关特性、热管理和驱动兼容性方面均表现出色，是一款适用于多领域功率控制的理想选择。

B1184广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，尤其是在对效率和空间有较高要求的设计中表现突出。其主要应用场景包括但不限于：同步整流型DC-DC降压或升压转换器，其中作为高端或低端开关使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率；电池供电系统中的负载开关或电源路径管理，例如在笔记本电脑、移动电源、无人机和电动自行车中用于控制电池输出通断，防止反向电流和过流故障；电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中，B1184可作为主开关元件，提供高效的电流控制能力。
　　在汽车电子领域，B1184因其通过AEC-Q101认证而被广泛用于车载电源模块、车身控制单元（BCM）、LED照明驱动和电动门窗控制系统等应用。其高可靠性和宽温度适应范围使其能在恶劣的车辆环境中稳定工作。此外，该器件也常用于工业自动化设备中的继电器替代方案，实现固态开关功能，避免机械触点磨损问题，延长系统寿命。
　　在消费类电子产品中，B1184可用于USB PD快充适配器、智能家电的电源管理模块以及无线充电发射端的功率级电路。其表面贴装封装便于自动化生产，适合大规模制造。同时，由于其具备较强的抗干扰能力和稳定的电气特性，也被应用于通信设备的辅助电源系统中。总之，B1184凭借其高性能参数和广泛的适用性，已成为众多电源设计工程师在中低电压、大电流开关应用中的首选器件之一。

NTD7002C-D
　　FQP70N03LTC