类型：P沟道，增强型
　　漏源电压(VDS)：-20 V
　　栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID)：-600 mA
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-1.2 A
　　导通电阻(RDS(on))：最大450 mΩ @ VGS = -4.5 V；最大600 mΩ @ VGS = -2.5 V
　　阈值电压(Vth)：典型值-0.9 V，范围-0.7 V至-1.2 V
　　输入电容(Ciss)：约120 pF @ VDS=10V
　　开关时间(ton/toff)：约5 ns / 8 ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：DFN1006D-3 (SOT886)
　　热阻(RθJA)：约275 K/W

B1160CCL的两个P沟道MOSFET具有高度匹配的电气特性，确保在并联或互补使用时的一致性与稳定性。其核心优势之一是超低的导通电阻，在VGS=-4.5V条件下RDS(on)最大仅为450mΩ，这显著降低了在电源路径上的功率损耗，提高了系统的整体能效。这种低RDS(on)特性尤其适合用于电池供电设备中的负载开关或反向电流阻断电路。
　　该器件采用先进的沟槽技术制造，提升了载流子迁移率并优化了跨导性能，从而实现了快速的开关响应时间和较低的栅极驱动需求。即使在低至-2.5V的栅源电压下，仍能保持良好的导通状态，使其兼容1.8V、2.5V和3.3V逻辑电平控制信号，无需额外电平转换电路即可直接由微控制器或电源管理IC驱动。
　　DFN1006D-3封装不仅尺寸极小（约1.0 mm × 0.6 mm × 0.5 mm），还具备优异的散热性能，底部有暴露焊盘以增强热传导，有助于将热量有效传递至PCB，提升长期运行的可靠性。同时，该封装无引脚设计减少了寄生电感，有利于高频开关应用中的电磁兼容性表现。
　　器件内部结构经过优化，具有较强的抗闩锁能力和良好的ESD防护（HBM模型可达±2kV），可在严苛的生产环境和实际应用中提供稳定的性能。此外，B1160CCL支持AEC-Q101汽车级可靠性认证选项，部分批次可用于车载电子系统，如车身控制模块或车载传感器供电管理。
　　总体而言，B1160CCL凭借其微型化、高效能、高集成度和宽工作温度范围，成为现代高密度电子产品中不可或缺的关键元件，特别是在追求轻薄化和长续航的设计中表现出色。

B1160CCL广泛应用于各类便携式消费类电子产品中，作为电源开关、负载切换器或电平移位电路的核心组件。常见用途包括智能手机和平板电脑中的背光LED驱动控制、摄像头模块供电管理、SIM卡或存储卡插槽的电源隔离，以及各种外设接口的热插拔保护电路。
　　在电池管理系统中，它可用于防止反向电流流动或实现多电池之间的选择性供电切换，提高能源利用效率。此外，由于其支持低电压逻辑控制，常被用于微控制器与高侧开关之间的接口电路，替代机械继电器或通用双极型晶体管，实现更安静、更可靠的操作。
　　在可穿戴设备如智能手表、无线耳机和健康监测设备中，B1160CCL的小尺寸和低功耗特性使其成为理想的电源路径控制解决方案，帮助延长设备待机时间并减少发热问题。
　　工业领域中，该器件可用于小型传感器模块、无线通信节点（如蓝牙/BLE模块）的电源门控，以及PLC输入输出单元中的信号切换。
　　在汽车电子方面，尽管主要定位为消费级产品，但符合AEC-Q101标准的版本也可用于非动力总成相关的低压控制系统，例如车内照明调节、信息娱乐系统电源分配或车窗防夹检测电路中的开关元件。

SI2301DS