时间：2025/12/26 22:14:24
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B1101UC4LRP是一款由Brightking（长晶科技）生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和负载控制等电子系统中。该器件采用SOT-23封装，具有体积小、功耗低、开关速度快等特点，适合在空间受限的便携式设备和高密度PCB设计中使用。B1101UC4LRP的设计注重高效能与可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于消费类电子、通信设备、工业控制等多种应用场景。作为一款通用型MOSFET，它在替代传统双极型晶体管方面表现出色，能够有效降低导通损耗并提升系统整体效率。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，满足现代电子产品对绿色环保的要求。其栅极阈值电压适中，便于与常见的逻辑电平（如3.3V或5V）直接驱动，简化了外围驱动电路的设计。总体而言，B1101UC4LRP是一款性价比高、性能稳定的中小功率MOSFET，适合用于各类低压直流开关应用场合。
型号：B1101UC4LRP
封装：SOT-23
极性：N沟道
漏源电压(VDS)：30V
连续漏极电流(ID)：4.4A @ 25℃
脉冲漏极电流(ID_pulse)：17.6A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：23mΩ @ VGS=10V
导通电阻(RDS(on))：28mΩ @ VGS=4.5V
栅极电荷(Qg)：10nC @ VGS=10V
输入电容(Ciss)：500pF @ VDS=15V
反向恢复时间(trr)：18ns
工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
热阻(Junction-to-Ambient, RθJA)：350℃/W
热阻(Junction-to-Case, RθJC)：100℃/W
B1101UC4LRP具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时仅为23mΩ，在VGS=4.5V时也仅28mΩ，这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备以延长续航时间。
由于采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，该器件在保持低RDS(on)的同时还实现了较小的芯片尺寸，从而在SOT-23小型封装内提供了较高的电流承载能力。其最大连续漏极电流可达4.4A（在25℃环境温度下），脉冲电流更可达到17.6A，使其能够应对瞬态高负载的应用场景，例如电机启动或LED闪光驱动。
此外，B1101UC4LRP具有良好的开关特性，输入电容（Ciss）为500pF，栅极电荷（Qg）仅为10nC，这意味着它可以在较低的驱动能量下实现快速开关，减少开关过程中的动态损耗，提高系统的工作频率和响应速度。这对于高频DC-DC转换器、同步整流电路等应用尤为重要。
该器件的栅源电压范围为±20V，具备较强的抗过压能力，能够在瞬态电压波动中保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。同时，其工作结温范围从-55℃到+150℃，适应各种严苛的工作环境，无论是高温工业现场还是低温户外设备均可可靠工作。
B1101UC4LRP还内置了体二极管，具备一定的反向续流能力，适用于H桥、半桥等需要续流路径的拓扑结构。体二极管的反向恢复时间（trr）为18ns，属于较快水平，有助于减少反向恢复带来的尖峰电压和电磁干扰，提升系统EMI性能。综合来看，B1101UC4LRP在导通损耗、开关速度、热性能和可靠性之间取得了良好平衡，是一款适用于多种低压高效率开关应用的理想选择。
B1101UC4LRP广泛应用于各类低电压、中等电流的开关控制场景。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中的负载开关或电池保护电路，利用其低导通电阻和小封装优势实现高效节能和紧凑布局。
在电源管理系统中，该器件可用于DC-DC降压或升压转换器的同步整流部分，替代传统的肖特基二极管，大幅降低导通压降，提升转换效率，尤其在高频率开关电源中效果显著。
此外，B1101UC4LRP也常用于电机驱动电路，作为H桥或半桥结构中的开关元件，控制微型直流电机或步进电机的正反转和启停，得益于其快速开关能力和较高脉冲电流承受力，能够有效减少发热并提升响应速度。
在LED照明领域，特别是手持式灯具或背光驱动中，该MOSFET可用于恒流调节或PWM调光控制，通过精确的开关动作实现亮度调节。
其他应用还包括热插拔电路、继电器替代、传感器电源控制、USB电源开关以及各类嵌入式控制系统中的信号通断管理。由于其SOT-23封装易于自动化贴装，适合大规模生产，因此在消费类电子产品和工业控制模块中得到了广泛应用。
AO3400
Si2302DDS
FDG330N
FDC630N
