类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：80A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大3.5mΩ（典型值更低）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK（根据制造商不同可能有所变化）

B103LAW MOSFET具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。其次，该器件具备较高的耐压能力（VDS=100V），能够在较高的电压条件下稳定工作，适用于多种电源转换拓扑结构。此外，B103LAW具备良好的热稳定性与热阻性能，能够在高温环境下保持稳定运行，且具备较强的过载与短路承受能力。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，支持逻辑电平驱动，适用于多种驱动电路设计。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。
　　从结构上看，B103LAW采用先进的平面工艺和沟槽栅技术，使得器件在保持低导通电阻的同时具备优异的开关性能。TO-220或DPAK封装形式不仅便于安装和散热管理，也提高了器件在PCB上的可靠性。此外，B103LAW的封装内部通常配有内置续流二极管，进一步增强了其在感性负载开关应用中的稳定性。

B103LAW 主要应用于各类高功率电子系统中。在电源管理领域，它被广泛用于开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC降压/升压转换器等电路中，作为主开关器件使用。在电机控制方面，B103LAW可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的正反转控制及速度调节。此外，该器件也可用于电池管理系统中的负载开关控制、电源切换电路以及LED驱动电源中。由于其高电流能力和良好的热性能，B103LAW也常用于工业自动化设备、电动车控制器、太阳能逆变器以及电源适配器等应用场合。

IRF1405, FDP80N10, STP80NF10, NTD80N10