晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极-基极电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：110~800（根据等级划分）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：S-Mini (SC-74)

B1010SURD/S530-A3 晶体管具有多种优良特性，适用于广泛的电子设计应用。其NPN结构使其在开关和放大应用中表现出色，具备较高的频率响应（fT为100MHz），能够满足中高频信号处理的需求。晶体管的电流增益（hFE）范围宽广，从110到800，具体取决于不同的等级划分，这使得设计者可以根据具体应用选择合适的晶体管以实现最佳性能。
　　该晶体管采用S-Mini（SC-74）封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，有助于减少电路板空间占用。此外，该封装具备良好的热稳定性和散热性能，确保晶体管在长时间工作下仍能保持稳定运行。
　　B1010SURD/S530-A3 的最大集电极-发射极电压（VCEO）为100V，集电极电流为100mA，支持较高的电压和电流操作范围，适用于低功率开关和信号放大应用。晶体管的功耗为200mW，确保在多种工作条件下都能保持较低的热量积累，提高整体系统的可靠性。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的环境适应性，适用于各种严苛的工作环境，包括工业控制和车载电子系统。同时，其存储温度范围也为-55°C至+150°C，确保在运输和存储过程中不会因温度变化而影响性能。

B1010SURD/S530-A3 主要应用于以下领域：
　　1. **开关电路**：适用于数字电路中的开关控制，如继电器、LED驱动、电机控制等应用。
　　2. **信号放大**：用于音频放大器、射频放大器等模拟信号处理电路中，提供稳定的增益和低噪声性能。
　　3. **电源管理**：在电源转换和调节电路中作为控制元件，如DC-DC转换器、稳压电路等。
　　4. **工业控制系统**：用于工业自动化设备中的传感器信号处理、执行器控制等场景。
　　5. **消费类电子产品**：如电视机、音响设备、遥控器、家用电器等，作为基本的电子控制元件。
　　6. **车载电子系统**：适用于汽车电子控制单元（ECU）、车载导航系统、车载娱乐系统等对温度和可靠性有较高要求的应用场景。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, 2SC2712