RU2HE5L 时间：2025/6/28 10:58:32 阅读：7

RU2HE5L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的效率和可靠性。
　　RU2HE5L 的设计使其在高频工作条件下表现优异，并且具备良好的热性能，适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　持续漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　总功耗(Ptot)：180W
　　结温范围(Tj)：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-247

特性

RU2HE5L 具备以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可以有效降低导通损耗，从而提升整体系统效率。
　　2. 快速开关速度有助于减少开关损耗，在高频应用中表现出色。
　　3. 高雪崩能力增强了器件的鲁棒性，能够在异常情况下保护电路。
　　4. 热稳定性良好，支持长时间高负载运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
　　6. 内置 ESD 保护功能，提高了抗静电能力，增强了器件的可靠性。

应用

RU2HE5L 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和适配器。
　　2. 电机驱动控制，例如步进电机和直流无刷电机。
　　3. DC-DC 转换器，包括降压和升压拓扑结构。
　　4. 电动工具和其他手持式设备。
　　5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
　　6. 汽车电子中的电池管理系统 (BMS) 和其他相关应用。