类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-1.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.5A
　　导通电阻RDS(on)：36mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻RDS(on)：45mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-0.7V ~ -1.0V
　　输入电容（Ciss）：330pF（@ VDS = 10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SSLP06
　　功率耗散（PD）：1W
　　通道数：单通道

B09B-CZEK-B-1(LF)(SN)(V)具有出色的电气性能与热稳定性，特别适合在空间受限且对能效要求较高的应用场景中使用。该器件采用了ROHM先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻，从而显著降低了在导通状态下的功率损耗，有助于提升整体系统效率。此外，由于其P沟道结构，在用于高边开关或负载开关时无需额外的电荷泵电路即可实现关断控制，简化了外围设计并节省PCB面积。器件的栅极氧化层经过优化处理，具备良好的抗静电能力（ESD）和长期可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持稳定运行。
　　该MOSFET的动态特性表现优异，开关速度较快，输入电容和输出电容均处于合理水平，使其适用于中高频开关操作。同时，其阈值电压具有较窄的分布范围，保证了批量生产中的一致性，便于设计人员进行精确的驱动电路匹配。热阻方面，器件结到环境的热阻（RthJA）约为150°C/W，结合1W的最大功率耗散能力，可在适当的散热条件下长时间工作。
　　封装采用的是ROHM独有的SSLP06小型化封装技术，尺寸仅为1.0mm x 0.6mm x 0.4mm，属于超小型表面贴装器件，非常适合高密度贴装需求。该封装还具备良好的机械强度和焊接可靠性，支持回流焊工艺，并通过了AEC-Q101等汽车级可靠性认证的部分测试项目，表明其在工业级甚至部分车载应用中也具备一定的适用性。总体而言，这款MOSFET在小型化、低功耗、高可靠性和易用性之间取得了良好平衡。

广泛应用于便携式电子设备中的电源管理模块，例如智能手机和平板电脑中的电池供电切换、背光驱动控制、摄像头模组电源开关等。也可用于各类消费电子产品中的负载开关电路，实现对不同功能模块的独立上电与断电控制，以达到节能目的。此外，该器件适用于需要低电压、小电流控制的信号路由和逻辑电平转换场景，常见于IoT终端设备、智能手表、无线耳机等可穿戴设备中。在工业控制领域，可用于传感器模块的电源启停控制。由于其具备一定的抗干扰能力和稳定性，也可在汽车电子中的非动力系统中使用，如车内照明控制、信息娱乐系统的电源管理等。

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　　 "DMG2301U,M1G",
　　 "Si2301ADS,S5-TP",
　　 "FDC630P_NL"
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