AZ5725-01F是一款高性能的低噪声放大器(LNA)芯片,广泛应用于射频和无线通信领域。该芯片采用先进的GaAs工艺制造,具有出色的增益、低噪声系数以及良好的线性度特性。其设计旨在满足现代通信系统对高灵敏度接收的需求,适用于包括蜂窝网络、卫星通信、Wi-Fi及物联网等在内的多种应用场景。
该芯片内置了偏置电路,可简化外部电路设计,并支持宽电源电压范围,增强了系统的稳定性和灵活性。此外,AZ5725-01F还具备关断功能,能够在待机模式下有效降低功耗。
工作频率范围:800 MHz - 6 GHz
增益:15 dB
噪声系数:1.0 dB
输入回波损耗:-10 dB
输出回波损耗:-12 dB
饱和输出功率:+10 dBm
电源电压:2.7 V - 5.5 V
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:SOT-89
1. 高增益与低噪声系数,确保在高频段内实现卓越的信号放大性能。
2. 内置偏置电路,减少外围元件数量,从而简化整体设计并提高可靠性。
3. 支持宽频带操作,覆盖从800 MHz到6 GHz的范围,适应多种无线通信协议。
4. 集成关断模式,有助于优化功耗,特别适合便携式设备或电池供电应用。
5. 良好的线性度和稳定性,即使在极端环境条件下也能保持高性能表现。
1. 蜂窝基站接收前端中的低噪声放大。
2. 卫星通信系统中的射频信号增强。
3. Wi-Fi路由器及其他无线接入点设备的信号处理。
4. 物联网传感器节点中的信号采集与传输。
5. 雷达系统以及其他需要高灵敏度射频放大的场景。
AZ5725-02F, AZ5726-01F, HMC572